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公开(公告)号：CN117385456A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311205343.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CVD的新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法，属于二维反铁磁‑铁磁材料领域。该新型低功耗MnTe‑Cr1‑xTe异质结的制备方法是以Te块和CrCl3、MnCl2粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述MnTe‑Cr1‑xTe异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、晶体质量好，而且可以减小铁磁材料Cr1‑xTe的矫顽力，降低损耗，因此在自旋电子学领域具有重要研究价值。
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