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公开(公告)号：CN119008361A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410926521.3
申请日：2024-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01J35/10
Abstract: 一种高亮度X射线源阳极靶材，包括耐高温保护层、激发层、散热层、高导热层，其中激发层嵌在散热层设有的凹槽之中，或将激发层成矩阵嵌在散热层设有的凹槽中。凹槽下面接触高导热层，耐高温保护层覆盖在整个靶材表面，电子束打到整个靶材上激发出X射线。本发明靶材散热性能极好，能够承受大功率的电子束照射，从而激发大量X射线，并且该专利能够明显改善普通阳极靶材由于升华导致的寿命短和破坏真空度问题。
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公开(公告)号：CN118016490A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410360086.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于电子发射技术领域，公开了一种背反式单色化X射线源装置及其使用方法，背反式单色化X射线源装置包括：电子枪、灯丝系统、分区阳极靶材、冷却系统、单色器系统；电子枪和单色器系统设置在装置外部，分区阳极靶材设置在装置内部，分区阳极靶材外侧设置有冷却系统，冷却系统外部环绕设置灯丝系统。本发明可实现X射线的单色化长距离聚发散照射和单色化微区照射，可在真空系统中快速更换X射线，大幅缩短检测时间，提升检测效率。
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公开(公告)号：CN110055513A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910497164.2
申请日：2019-06-10
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/442
Abstract: 本发明属于原子层沉积领域，公开了一种粉末原子层沉积设备及其沉积方法与应用，粉末原子层沉积设备的可加热式主腔体通过轴承固定有机械传动轴，机械传动轴上卡接有粉末生长床，粉末生长床铺有粉末样品，机械传动轴上端设置有震动转动器；可加热式主腔体左端通过法兰固定有可加热式气体管道，可加热式气体管道与可加热式主腔体连接处设置有粉末过滤器；可加热式气体管道通过卡套与电磁阀连接，电磁阀通过可加热式气体管道与真空泵连接，电磁阀上端设置有剩余气体分析器。本发明的进源和抽气同端，薄膜生长效率高，并可实现不同薄膜材料的生长，生长的薄膜材料稳定性高；整体设备制作简单，提高了前驱体源的利用效率。
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公开(公告)号：CN115763311B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211474117.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了面向集成电路先进制程中晶圆处理的超临界干燥/清洗设备，其特征在于，该设备包括外腔体、外腔体顶盖、内胆、内胆提拉装置、手套箱、烘箱、地线；所述外腔体与外腔体顶盖使用机械密封，如螺丝、机械锁扣等；所述内胆在外腔体内部，承载待处理的晶圆；所述内胆提拉装置顶部设有牵引环；所述手套箱包含烘箱；所述内胆提拉装置、外腔体、手套箱都通过地线接地。本发明利用超临界流体几乎为零的表面张力、极强的溶剂化能力和类似气体的扩散性，可以在集成电路加工制造过程中实现对湿法清洗残留物的干燥/清洗，克服流体的表面张力对器件或芯片的破坏等问题。
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公开(公告)号：CN115747768A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211446425.6
申请日：2022-11-18
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供了一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法。本发明的原子层、分子层沉积设备，沉积腔体外壁面对应样品台处设有第一加热部件，沉积腔体外壁面位于样品台之外的位置设有至少一个第二加热部件，即沉积腔体采用多温区加热方式，第一加热部件对应的加热温度为待沉积样品薄膜生长的温度，而第二加热部件对应的加热温度则低于待沉积样品薄膜生长的温度，采用多温区加热方式，降低了设备对于密封胶圈的耐温需求；多个前驱体源瓶通过一转多转接件与第一管道另一端连通，前驱体源瓶之间为并联方式，由于每个前驱体源瓶均连通有载气管路，因此，每一个前驱体都会进行载气负载，避免了前驱体源之间的交叉污染。
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公开(公告)号：CN112458428B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011348432.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
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公开(公告)号：CN112342530B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202011131633.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/34
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种重力驱动空间分辨粉末原子层沉积设备、方法及应用，粉末原子层沉积设备设置有可加热式主腔体；多级可加热式主腔体之间设置有可动密封结构，并通过橡胶‑金属/橡胶密封；每级可加热式主腔体两端固定有可加热式气体管道，并在连接处设置有粉末过滤器；每级可加热式主腔体一端通过可加热式气体管道连接前驱体和载气，并由电磁阀控制开关；每级可加热式主腔体的另一端通过可加热式气体管道与真空泵连接，由电磁或气动阀门控制开关，在此阀门两端可设置有剩余气体分析器或真空计；设备整体可设置有震动器。本发明采用连续式生长模式设计腔体，明显提高镀膜的效率，降低粉末镀膜的成本。
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公开(公告)号：CN112458428A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011348432.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
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公开(公告)号：CN112342530A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011131633.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/34
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种重力驱动空间分辨粉末原子层沉积设备、方法及应用，粉末原子层沉积设备设置有可加热式主腔体；多级可加热式主腔体之间设置有可动密封结构，并通过橡胶‑金属/橡胶密封；每级可加热式主腔体两端固定有可加热式气体管道，并在连接处设置有粉末过滤器；每级可加热式主腔体一端通过可加热式气体管道连接前驱体和载气，并由电磁阀控制开关；每级可加热式主腔体的另一端通过可加热式气体管道与真空泵连接，由电磁或气动阀门控制开关，在此阀门两端可设置有剩余气体分析器或真空计；设备整体可设置有震动器。本发明采用连续式生长模式设计腔体，明显提高镀膜的效率，降低粉末镀膜的成本。
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