公开(公告)号：CN112458428B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202011348432.3

申请日：2020-11-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 董红 ,  罗锋 ,  王一同

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。

公开(公告)号：CN112458428A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011348432.3

申请日：2020-11-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 董红 ,  罗锋 ,  王一同

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。