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发明公开
一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构及其加工方法审中-公开

公开(公告)号：CN119993923A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510142652.7

申请日：2025-02-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 宫业辉 , 罗锋

IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构，包括从上至下的封装层及基板，若干芯片贴装于基板上，封装层将芯片塑封；封装层包括第一封装层和第二封装层，第二封装层为加强封装层，其厚度小于第一封装层，其在第一封装层的上面进行第二次塑封。本发明还公开了一种用于缓解泊松效应的芯片封装结构的加工方法。本发明在保证对芯片厚度、散热不产生较大影响的条件下，通过纳米压印手段在平整的EMC层上添加一小层网格状EMC层，在只增加少量封装厚度的条件下，显著提高封装强度，降低翘曲率。

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