公开(公告)号：CN118007101A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410004481.7

申请日：2024-01-03

Applicant: 南开大学

Inventor： 周经 ,  宁帅 ,  罗锋

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C28/00 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种HZO铁电材料的制备方法，在基底上生长底电极，使用原子层沉积ALD在底电极上进行沉积，沉积完毕得非晶HZO薄膜，对HZO进行快速热退火，即得铁电薄膜，在退火过程中不需要顶电极辅助，即可获得鲁棒的铁电性。此外，通过在氧气下退火，将循环耐久性提高到了超1010个循环。通过优化HZO的生长工艺、退火工艺以及后续的电极层叠加方式，成功地提高了HZO的铁电极化和耐久性。该方法主要涉及到缺陷调控和界面工程技术，以改善HZO存在的缺陷，提高界面质量，从而降低漏电流和提高疲劳寿命。通过本方法，HZO薄膜展现出高达29μC/cm2的剩余极化强度与超过3×1010的循环性，提升了HZO的铁电性能，为其在高性能电子器件中的应用提供了可能。