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公开(公告)号：CN118276402A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410339198.X
申请日：2024-03-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用于基因测序双层孔结构纳米压印模板制造及压印方法，涉及纳米器件制造技术领域。主要包括以下步骤：1.在硅片表面镀一层金属硬掩模；2.激光直写灰度曝光得到双层结构；3.刻蚀金属，将下层结构转移到金属层中；4.深硅刻蚀，将下层结构刻入硅中；5.残胶去除，在胶层中去除下层结构；6.刻蚀金属，将上层结构转移到金属层中；7.深硅刻蚀，将上层结构刻入硅中；8.去除金属层和残胶，清洗模板；9.电镀制备金属工作模具；10.利用紫外光固化压印完成结构。本方法提供的整套工艺可以降低此类结构制造成本，避免双层结构套刻误差，提高结构的设计灵活性。
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公开(公告)号：CN115791862B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211656214.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明属于XPS设备技术领域，公开了一种晶圆表面量测设备、检测方法及应用，包括：X射线源；环形能量分析器模块数据处理模块；实时监测模块；快速进样模块；传输模块；真空模块；加热模块；样品台模块。本发明通过提高光电子的收集立体角，大幅增加通过环形能量分析器的光电子的数量，可大幅提升设备对光电子信号的收集效率，避免多次重复扫描带来的时间消耗；可同时进行不同光谱、能谱分析、微区扫描，极大减少了检样时的步骤及时耗。本发明通过XPS检测通量的颠覆性提高，其可实现与光学方法接近量测速度，从而可以实现多重技术同步量测，大幅提高晶圆检测或量测的效率；极大提升了光电子的收集效率，可大幅缩减单个样品的检测时间。
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公开(公告)号：CN117737668A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311570252.3
申请日：2023-11-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种在亚铁磁合金中获得手性耦合的方法，属于新材料技术领域，包括以下步骤：1)采用直流磁控溅射技术在Si/SiO2衬底上沉积钽Ta作为种子层的步骤；2)在步骤1)的基础上，采用直流磁控溅射技术在Ta上沉积铂Pt作为重金属层的步骤；3)在步骤2)的基础上，采用磁性过渡金属或合金TM和稀土金属RE直流共溅射的方法在多层膜上制备TM‑RE亚铁磁合金的步骤；4)在步骤3)的基础上，采用直流磁控溅射技术在多层膜上沉积Ta作为覆盖层的步骤，最终得到亚铁磁多层膜。5)利用镓离子辐照改变亚铁磁多层膜的磁各向异性，构筑手性耦合磁结构。本发明利用该手性耦合可构筑基于亚铁磁的赛道存储器，有望在新型计算方面展现出比传统的铁磁系统更低功耗的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117580439A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311482415.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种原位制备Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的方法，属于二维铁磁‑非磁材料领域。该新型Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结的制备方法是以Te块和CrCl3粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积得到Cr1‑xTe晶态二维晶体之后，再进行原位低温Te化，即得到所述Cr1‑xTe晶态‑非晶异质结。该异质结制备方法，简单可控，经济快捷，所得异质结不仅厚度可控、实现铁磁和非磁材料间高质量界面的精确控制，而且可以显著提高Cr1‑xTe晶体材料的空气热稳定性。因此本研究不仅成功地解决了铁磁‑非磁异质结领域内长期存在的一些关键技术挑战，也提供了一种具有明显优势和广泛应用前景的新型制备方法，在自旋电子学领域具有重要研究价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577538A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311482285.2
申请日：2023-11-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga2O3薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。该Ga2O3薄膜的制备方法是以Ga(NO3)3·xH2O和乙二醇(CH2OH)2为原料，将Ga(NO3)3·xH2O溶解于(CH2OH)2中，形成无色透明溶液。该溶液经过旋涂涂覆于选定基底上，并在大气环境中经过退火处理，从而得到目标Ga2O3薄膜。本方法不仅经济高效且操作简便，而且能够精确地控制薄膜厚度至最薄3nm。更为引人注目的是，该合成方法产生的Ga2O3薄膜在厘米级别的基底上展示出高度均匀和原子级平整的特性。这一研究成果在半导体薄膜领域具有显著的学术和应用价值。
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公开(公告)号：CN114843393A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210496393.4
申请日：2022-05-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用。本发明首次利用CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件，其操作简单，隧穿层厚度可控性强，器件空气稳定性好。首先用CVD法生长高质量的底部二维铁磁材料，接着用ALD沉积隧穿层，再精准转移顶部铁磁电极制备三明治结构磁性隧道结器件，器件稳定性好且表现出高隧穿磁阻效应，这种CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件为二维铁磁材料的开发和应用提供了一个新方法和新路径。
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公开(公告)号：CN113046728B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110271529.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种适用于粉末样品的原子层沉积装置、沉积方法，原子层沉积装置设置有：两级式可加热式主腔体；两级式可加热式主腔体外侧连接有利用电机或其它方式驱动的机械转动轴及震动器，两级式可加热式主腔体的每一级腔体两端固定有柔性可加热式气体管道；柔性可加热式气体管道外接有气动阀门及粉末过滤器；所述粉末过滤器连接有可加热式气体管道。本发明公开的沙漏型适用于实验研究及工业级别粉末样品制备的原子层沉积设备，从工艺和设备角度，突破了原子层沉积技术的效率和成本限制，可实现单次毫克～吨级别锂电池、燃料电池、催化剂等粉末的均匀包覆。
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公开(公告)号：CN113046728A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110271529.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种适用于粉末样品的原子层沉积装置、沉积方法，原子层沉积装置设置有：两级式可加热式主腔体；两级式可加热式主腔体外侧连接有利用电机或其它方式驱动的机械转动轴及震动器，两级式可加热式主腔体的每一级腔体两端固定有柔性可加热式气体管道；柔性可加热式气体管道外接有气动阀门及粉末过滤器；所述粉末过滤器连接有可加热式气体管道。本发明公开的沙漏型适用于实验研究及工业级别粉末样品制备的原子层沉积设备，从工艺和设备角度，突破了原子层沉积技术的效率和成本限制，可实现单次毫克～吨级别锂电池、燃料电池、催化剂等粉末的均匀包覆。
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公开(公告)号：CN119008361A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410926521.3
申请日：2024-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01J35/10
Abstract: 一种高亮度X射线源阳极靶材，包括耐高温保护层、激发层、散热层、高导热层，其中激发层嵌在散热层设有的凹槽之中，或将激发层成矩阵嵌在散热层设有的凹槽中。凹槽下面接触高导热层，耐高温保护层覆盖在整个靶材表面，电子束打到整个靶材上激发出X射线。本发明靶材散热性能极好，能够承受大功率的电子束照射，从而激发大量X射线，并且该专利能够明显改善普通阳极靶材由于升华导致的寿命短和破坏真空度问题。
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