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公开(公告)号：CN105428538A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510945020.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , B82Y30/00 , H01L51/4253 , H01L51/426
Abstract: 一种具有纳米颗粒密堆积结构的有机太阳电池，以非晶态的锗纳米颗粒作为给体，富勒烯衍生物PC70BM作为受体，给-受体形成“核-壳”结构。锗纳米颗粒采用低成本的平板电容耦合等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备而成，紧密堆积于电池的活性层中。本发明的优点在于：宽光谱吸收、高吸收系数、高载流子迁移率的锗纳米颗粒取代传统的聚合物，为有机电池的制备提供一种新的给体材料。
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公开(公告)号：CN102636743B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210118471.3
申请日：2012-04-20
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明涉及集成电路中罕见向量序列激活型硬件木马的无损检出方法。该方法包括：为待测集成电路提供相应测试环境；为待测集成电路产生罕见向量序列；以罕见向量序列激励待测集成电路，测试待测集成电路的特性参数和功能作用是否异常，如果异常，检出被植入硬件木马的集成电路并记录破坏方式。基于本发明，可以使被植入硬件木马的集成电路在进入应用系统前被检出，避免应用系统受到硬件木马的威胁，保证重要系统中关键设备的安全。
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公开(公告)号：CN102621480A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210120257.1
申请日：2012-04-20
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路中加速度和罕见向量序列混合激活型硬件木马的无损检出方法。该方法包括：为集成电路提供相应测试环境；为集成电路产生罕见向量序列集；对集成电路施加不小于正常工作时所承受的最大加速度，并以罕见向量序列激励集成电路，测试集成电路的特性参数和功能作用是否异常，如果异常，检出被植入硬件木马的集成电路并记录破坏方式。基于本发明，可以使被植入硬件木马的集成电路在进入应用系统前被检出，避免应用系统受到硬件木马的威胁，保证重要系统的安全。
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公开(公告)号：CN101177777A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710150785.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。
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公开(公告)号：CN100373635C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510122529.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104985177A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510341884.1
申请日：2015-06-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种一步法合成表面钝化的纳米锗颗粒的方法，该方法采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统，使用液态锗和水作为反应源，一步直接合成表面钝化的纳米锗颗粒。本发明的优点在于：降低成本的同时消除了反应源易燃易爆的隐患；提高产量的同时避免了颗粒间的团聚；原位钝化的方法简化了工艺流程，是一种低成本的、易于产业化的纳米锗颗粒制备方法。
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公开(公告)号：CN104465891A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410843070.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供了一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法，主要考虑到GaSb薄膜表面存在较大缺陷态的问题，在化学水浴法制备CdS过程中采用两步法进行制备，先通过高温和高搅拌速率让溶液中的硫离子渗透到GaSb表面，以实现CdS对GaSb的钝化作用，然后稍稍降低反应温度和搅拌速率进行后续的CdS沉积，并用退火工艺提高薄膜结晶质量。本发明中，化学水浴法制备过程中的硫离子具有钝化GaSb表面悬键的作用，能有效地降低GaSb薄膜的表面复合速率，而且该方法简单廉价，易于实施，可以使制备GaSb热光伏电池的成本低廉。
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公开(公告)号：CN102654560B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210118587.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路中硬件木马的无损检出系统，包括离心加速装置、测试电路系统和外围监控装置。所述的离心加速装置包括一个减速电机直驱的承载盘和电机调速控制器，承载盘上设置有固定槽部件和配重板，具备夹具和配重调整功能；测试电路系统包括激励发生、响应记录和比对、精密电压源、功耗监测和通信电路；外围监控装置由数据接收和计算机构成。本发明为可疑的集成电路提供相应测试环境；以无损方式检出被植入硬件木马的集成电路，可以使被植入硬件木马的集成电路在进入应用系统前被检出，避免应用系统受到硬件木马的威胁，保证重要系统的安全。
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公开(公告)号：CN102142469A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010569066.4
申请日：2010-12-01
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/20 , C23C16/44 , C23C16/22
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明通过改变碳掺杂比例的优化研究，控制材料的光电性能和结构特性，利用碳原子引入可增大硅薄膜带隙的效应来得到高电导、宽带隙的P型微晶硅碳。本发明的效益是：将这种宽带隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中并结合优化的p/i缓冲层，可显著增强薄膜电池的内建电场，提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN100575539C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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