公开(公告)号：CN102142469A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010569066.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  张德贤 ,  胡居涛 ,  陶科 ,  赵静芳 ,  王林申 ,  靳果 ,  谢珂

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/20 ,  C23C16/44 ,  C23C16/22

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明通过改变碳掺杂比例的优化研究，控制材料的光电性能和结构特性，利用碳原子引入可增大硅薄膜带隙的效应来得到高电导、宽带隙的P型微晶硅碳。本发明的效益是：将这种宽带隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中并结合优化的p/i缓冲层，可显著增强薄膜电池的内建电场，提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅薄膜太阳电池。