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公开(公告)号：CN110106477B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910432869.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 南开大学
IPC: C23C14/26
Abstract: 本公开提供一种石墨芯结构的高温裂解金属蒸发源，包括：坩埚，用于盛放镀膜材料；石墨芯裂解器，其设置于所述坩埚内的中部，且位于所述镀膜材料的上方，其上设置有连通所述镀膜材料与所述坩埚外部环境的通道；加热单元，其环绕所述坩埚的侧壁设置，用于加热所述坩埚中的所述镀膜材料，使其蒸发并穿过所述石墨芯裂解器上的通道；隔热层，其环绕所述加热单元设置，用于隔绝所述加热单元与外界的能量交换。本公开提供的石墨芯结构的高温裂解金属蒸发源使用石墨芯裂解器。使用石墨芯，解决了坩埚口部镀膜材料的冷凝问题，避免了冷凝的颗粒被带到薄膜内部，提升了沉积薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN107331615A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710511722.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324
Abstract: 一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。
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公开(公告)号：CN102051603A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010518539.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。
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公开(公告)号：CN100575539C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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公开(公告)号：CN101245442A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109622016A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811591751.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/1004 , C07C17/08 , C07C21/06
Abstract: 本发明提出一种用于固定床乙炔氢氯化反应的氮掺杂碳材料的制备方法及其使用方法，属于材料合成技术。该方法可采用工业上已商品化的三聚氰胺甲醛树脂及酚醛树脂为前躯体，通过固化以及在惰性气氛下程序升温焙烧得到氮掺杂碳催化剂。将该催化剂应用于固定床乙炔氢氯化制备氯乙烯的反应中，具有一定的催化活性和选择性。
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公开(公告)号：CN101805915A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010150362.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种电镀金属Ga和Ga合金的溶液体系，由金属盐、导电盐、络合剂、有机酸、有机添加剂和溶剂水组成，各组份在溶液体系中的含量为：金属盐(0.05～0.5)mol/L、导电盐(1.0～4.0)mol/L、络合剂(0.1～0.8)mol/L、有机酸(0.5～3.0)mol/L、有机添加剂(4～20)g/L；该溶液体系用饱和浓度的碱性溶液调节pH值为1～6的范围内。本发明的优点是：该溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力、使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成份可通过控制沉积条件任意改变；且制备方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN113540287B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110730391.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0749
Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。
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公开(公告)号：CN113972301A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111225067.1
申请日：2021-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。
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公开(公告)号：CN108977860B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810627346.2
申请日：2018-06-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。
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