公开(公告)号：CN108977860B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。

公开(公告)号：CN108977860A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。