公开(公告)号：CN113471332A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110754941.4

申请日：2021-07-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  郭洪玲 ,  孟汝涛 ,  刘越 ,  敖建平 ,  刘玮 ,  刘芳芳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供一种载流子有效分离的铜基薄膜太阳电池P‑N结结构设计方法及制备得到的太阳电池。该薄膜太阳电池P‑N结结构设计的方法，包括：在背电极上制备P型铜锌锡硫硒吸光层薄膜；在所述吸光层表面沉积弱N型缓冲层薄膜；在所述缓冲层薄膜表面低温沉积N型窗口层，其中低温退火过程中通过界面固态交换反应实现一个新型P‑N结结构设计。由此，形成的新型P‑N结结构实现了载流子的有效分离，优化了载流子的传输和收集效率，增加了开路电压，显著提升了薄膜太阳电池的光电转换效率。本发明工艺简单，有效地解决了目前P‑N结界面的能带排列问题，为薄膜太阳电池的产业化提供了一条路径。

公开(公告)号：CN108977860B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。

公开(公告)号：CN108977860A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。