公开(公告)号：CN102290484A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110106517.5

申请日：2011-04-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 敖建平 ,  张超 ,  孙顶 ,  王利 ,  姜韬 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  何青

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/56 ,  C25D3/54 ,  C23C18/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法，涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系，由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成，各组分在溶液体系的含量为：金属盐0.1～0.5mol/L、导电盐l～4mol/L、有机酸0.5～3mol/L、无机酸0.01～0.1mol/L，用饱和碱性溶液调节pH值到1～6.0。本发明的优点：溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力，使用寿命长，制备方法简单，投资设备小，适合大规模工业化生产，并且使用这种掺杂方法不仅可以使CIGS薄膜晶粒尺寸长大，而且可以有效的使不含Ga的CIS薄膜晶粒尺寸长大。适用于CuInS2、InGaAs等半导体材料。

公开(公告)号：CN101805915A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010150362.0

申请日：2010-04-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 敖建平 ,  张超 ,  孙顶 ,  孙国忠 ,  何青 ,  周志强

IPC: C25D3/54 ,  C25D3/56

Abstract: 一种电镀金属Ga和Ga合金的溶液体系，由金属盐、导电盐、络合剂、有机酸、有机添加剂和溶剂水组成，各组份在溶液体系中的含量为：金属盐(0.05～0.5)mol/L、导电盐(1.0～4.0)mol/L、络合剂(0.1～0.8)mol/L、有机酸(0.5～3.0)mol/L、有机添加剂(4～20)g/L；该溶液体系用饱和浓度的碱性溶液调节pH值为1～6的范围内。本发明的优点是：该溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力、使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成份可通过控制沉积条件任意改变；且制备方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。