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公开(公告)号：CN102937695A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210400993.2
申请日：2012-10-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。
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公开(公告)号：CN102214662B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN102437110A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110391525.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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公开(公告)号：CN101794528B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010139012.4
申请日：2010-04-02
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明涉及基于传感技术和模式识别技术的肢体动作识别技术以及语音识别技术，属于传感技术和惯性信号处理、语音处理技术领域，特指一种手语语音双向翻译系统，其以微惯导传感器网络和手语动作分类器为核心，通过安装在聋哑人手指、手臂以及头部的传感器，检测聋哑人做出的手语动作，并正确识别，然后将其代表的含义通过语音和发声系统连贯的表达出来，以达到让正常人“看懂”手语的效果；同时，正常人的语言可以被翻译成特定的连贯的手语动作，并以动画或视频的形式显示出来，以达到聋哑人间接“听到”正常人说话的效果。该系统有效解决了聋哑人与正常人双向交流的障碍，且廉价便携，有着巨大的社会效益和经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024782A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513047.X
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/50 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN101256105B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810101680.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅横向MEMS微型皮拉尼计及其制备方法，该微型皮拉尼计包括衬底和一硅结构，硅结构分为两部分，一为散热结构，包括两个相互对称的散热体，每个散热体由一个锚点和与锚点固定连接的若干个梳齿构成，散热体之间的梳齿相互咬合，散热结构通过上述锚点与衬底固定；另一部分为加热结构，包括一根环绕在散热体梳齿间的弯曲加热体，在上述加热体的两端分别设置锚点和金属电极，加热结构通过加热体两端的锚点与衬底固定。本发明采用单晶硅材料，微型皮拉尼计的加热体的高度与散热体梳齿和加热体的间距的比值高，其制备采用高深宽比体硅MEMS工艺，成品率高、工艺简单、可靠性高、可批量生产。
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公开(公告)号：CN101819635A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010139016.2
申请日：2010-04-02
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: G06K9/62
Abstract: 本发明涉及基于模式识别技术和传感技术的肢体动作翻译方法，属于传感技术和惯性信号处理技术领域，特指一种基于微惯导信号和模式识别的手语翻译方法，可对人的各种手语动作进行翻译。首先，依据手语动作的要求，建立一个完好的传感器布局；其次，整个传感器网络完成手语动作数据的采集、预处理、特征提取，建立一个完备的、普适的手语动作数据库，该数据库包括两个部分，分别为训练部分和测试部分；然后，用HMM模型训练这个数据库，形成HMM分类器，并用测试样本测试这个HMM分类器；最后，通过HMM分类器进行模式识别，从而完成后续的翻译动作。
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公开(公告)号：CN118366943B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
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公开(公告)号：CN113270478B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110443694.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本申请公开了一种化合物半导体续流功率晶体管。包括：衬底、缓冲层、势垒层，缓冲层设置于衬底上，势垒层设置于缓冲层上，势垒层上设置有源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极之间，势垒层中设有用于形成电子陷阱的陷阱区，陷阱区位于源极和漏极之间，栅极不接触陷阱区。通过在势垒层中设置陷阱区，当器件工作时，在栅极上施加的正负电压需要向陷阱区抽取或注入电子，以此实现器件平缓的导通和关断，降低了器件被感应电压击穿或烧毁的风险，提高了化合物半导体功率晶体管在系统中的可靠性。
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