-
公开(公告)号：CN118969653A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410945124.0
申请日：2024-07-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请提供一种用于混合键合微区应力表征的方法。该方法包括：提供两个基础芯片；分别在两个所述基础芯片的键合面上形成图形化的介质层，得到介质结构；在所述介质结构中形成含有应力表征物的金属结构，得到两个目标基础芯片；将两个所述目标基础芯片进行混合键合形成混合键合结构，观察该混合键合结构中应力表征物的形变；根据所述应力表征物的形变得到混合键合微区的应力。本申请中，在制作混合键合结构时将应力表征物制作在了其中，在两基础芯片混合键合后，可以通过应力表征物的形变来定量表征混合键合微区的应力，从而解决了混合键合微区应力难以准确定量表征的问题，可以实现混合键合微区应力变化的检测。
-
公开(公告)号：CN118366943B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
-
公开(公告)号：CN117832170B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410245397.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。
-
公开(公告)号：CN118335628A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
-
公开(公告)号：CN118366870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
-
公开(公告)号：CN118366943A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
-
公开(公告)号：CN118366870A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
-
公开(公告)号：CN117832170A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245397.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.017 seconds)
