公开(公告)号：CN119381274A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411568663.3

申请日：2024-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 申诗涛 ,  陈浪 ,  杜建宇 ,  王玮

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/677 ,  H01L25/065

Abstract: 本申请提供一种电场诱导的三维芯粒组装方法和三维芯粒组装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：在流体环境中，将第一层芯粒放置在基底上，使第一层芯粒的第一表面与基底的上表面接触；对基底的组装电极施加电压，以利用产生的电场力引导第一层芯粒移动，使第一层芯粒的对准电极与基底的组装电极一一对准；将第二层芯粒放置在第一层芯粒上，使第一层芯粒的第二表面与第二层芯粒的第一表面接触；对基底的组装电极施加电压，以利用产生的电场力引导所述第二层芯粒移动，使第二层芯粒的第一表面上的对准电极与第一层芯粒的第二表面的对准电极一一对准；在第二层芯粒的第二表面上，通过重复上述步骤，组装多层级芯粒，得到三维芯粒组装结构。

公开(公告)号：CN119291970A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411833671.6

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 申诗涛 ,  杜建宇 ,  汪琪 ,  王玮

IPC: G02F1/1685 ,  G02F1/167 ,  G02F1/1673

Abstract: 本发明公开一种可重构单元操控方法、可重构单元、设备和存储介质，涉及可重构电子技术领域，所述方法包括：制备可重构单元，所述可重构单元包括超原子、磁性响应材料和可重构单元主体材料；通过磁场和/或电场操控所述可重构单元在设定流体环境范围内运动。通过制备包含超原子、磁性响应材料和主体材料的可重构单元，创建一种能够在外部磁场和/或电场控制下改变其物理和光学特性的超表面。利用磁场和/或电场操控可重构单元，实现超原子在设定流体环境范围内的精确运动控制。

公开(公告)号：CN118366943B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410796592.6

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 张驰 ,  石上阳 ,  杜建宇 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L23/427 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。

公开(公告)号：CN117832170B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410245397.4

申请日：2024-03-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 张驰 ,  杜建宇 ,  陈浪 ,  石上阳 ,  王玮

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。

公开(公告)号：CN113629020B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202110712772.8

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  温博 ,  杨宇驰 ,  徐涵 ,  韩笑 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113257757B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202110557585.7

申请日：2021-05-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构，其包括：芯片，包括衬底和位于所述衬底背部的嵌入式微流道；硅基转接板,包括用于填埋所述芯片的凹槽、位于所述凹槽下方并与其连通的歧管通道、入液口和出液口；用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述硅基转接板之间；以及位于所述芯片顶部的重布线层。本发明还涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构的制备方法。本发明的硅基扇出型封装结构同时具有低温工艺兼容性和封装兼容性并且具有高的散热效率。本发明的嵌入歧管式微流道具有流动距离短、流阻小、热阻小的优势，更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。

公开(公告)号：CN113658927A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110791595.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种可分区调控流量的散热结构，其通过调整入液管路与入液口的连接关系以及出液管路与出液口的连接关系，以及通过调整散热结构内不同区域的嵌入式微流道及歧管通道的结构特征和并行度来调整流阻，可以极大程度的减少调控流量所需要的压力调控结构数目。本发明的散热结构通过调节压力调控结构的压强数值，可以动态调控散热结构内不同区域的散热性能，相较于传统的单阀门流道结构，可以提升泵功的利用率，提升散热系统的能耗比。本发明针对散热结构内散热性能要求高的区域设计了小尺寸、高并行度、小流阻的歧管通道结构，在强化冷却性能的同时，较小流阻使得压降调控更为有效，增加了调制比例。另外，本发明还涉及所述散热结构的制备方法。

公开(公告)号：CN113257763A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110557332.X

申请日：2021-05-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  杨宇驰 ,  杜建宇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种包括嵌入歧管式微流道的引线键合结构，其包括:芯片，包括衬底和位于所述衬底背部的嵌入式微流道；转接板,包括歧管通道、入液口和出液口；用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述转接板之间；以及用于实现所述芯片至所述转接板的电气连接的键合引线。本发明还涉及一种包括嵌入歧管式微流道的引线键合结构的制备方法。本发明的引线键合结构同时具有低温工艺兼容性和封装兼容性并且具有高的散热效率。本发明的嵌入歧管式微流道具有流动距离短、流阻小、热阻小的优势，更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。

公开(公告)号：CN118315282B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410734128.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜建宇 ,  张驰 ,  陈浪 ,  王玮

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/473 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置，方法包括准备冷却基板和半导体器件；在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道；基于散热通道的刻蚀终点，在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道，使散热微通道与散热通道连通；将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧；在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜；将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内，并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法，解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。

公开(公告)号：CN118315282A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410734128.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜建宇 ,  张驰 ,  陈浪 ,  王玮

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/473 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供了一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置，方法包括准备冷却基板和半导体器件；在冷却基板上按照第一预设参数刻蚀散热通道；基于散热通道的刻蚀终点，在冷却基板上按照第二预设参数刻蚀散热微通道，使散热微通道与散热通道连通；将半导体器件连接在冷却基板靠近散热微通道的一侧；在冷却基板刻蚀有散热通道的一侧贴装芯片粘贴膜；将带有半导体器件的冷却基板通过芯片粘贴膜填埋至转接板内，并使散热通道与外界连通。通过本申请提供的封装方法，解决了传统填埋扇出式封装中降低了芯片的可靠性及DAF贴装困难的问题。