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公开(公告)号：CN104853117B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN105976888B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610516217.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104459372B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410629535.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，包含任何能够造成位移损伤效应的粒子；与探测粒子种类、能谱相比，能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN103996673B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410220512.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L23/552 , G21F1/12
Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
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公开(公告)号：CN106370629A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610720572.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，并经过锁相放大器对信号进行降噪放大，所采集的不同信号得出光电材料的光致发光谱，再将光电材料受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到光电材料的光致发光谱辐射损伤。该方法减轻了光电材料辐照前后光致发光谱测试的工作量；结构紧凑，操作简单方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105976888A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610516217.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104853117A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510305312.8
申请日：2015-06-06
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统，该系统使用Matlab读取采集的图像，并转化为像素灰度值的像素信号；对每个像素信号进行白噪声滤波得到像素信号；使用梯度检测法得到像素信号的梯度变化信号；通过阈值算法得到像素梯度信号噪声阈值，然后对梯度信号去噪；统计每个像素的梯度脉冲个数，并输出作为RTS噪声检测结果；对像素梯度信号每两个脉冲之间的信号求均值得到像素RTS噪声的平均暗电流基底；结合RTS噪声的平均暗电流基底和梯度脉冲信号得到重建的RTS噪声信号。该系统适用任意可见光图像传感器，可以自动实现RTS噪声检测和全参数分析，解决了目前RTS噪声检测提取困难，分析困难问题，更加深入的研究图像传感器的各种工艺和辐射产生缺陷。
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公开(公告)号：CN104459372A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410629535.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p-i-n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，包含任何能够造成位移损伤效应的粒子；与探测粒子种类、能谱相比，能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。
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公开(公告)号：CN103996673A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410220512.9
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01L23/552 , G21F1/12
Abstract: 本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
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公开(公告)号：CN103983874A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410210427.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。
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