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公开(公告)号：CN103311097A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196493.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
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公开(公告)号：CN103165775A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310117217.6
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有高反射薄膜，用于将光反射后从器件底部发射出去。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过高反射薄膜的反射，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域中。
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公开(公告)号：CN102709410A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180419.0
申请日：2012-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN119223927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411460841.0
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明的实施例提供一种判断量子阱有源层激射特性的测试方法，包括：选择一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层和量子阱有源层，获取外延片；对所述外延片做变激发功率的表面光致发光测试，采集发光光谱；对获取的每条发光光谱进行单峰或多峰函数拟合，获取量子阱低能端窄峰的积分强度和线宽；绘制量子阱低能端窄峰的积分强度随激发功率变化的散点图，通过线性拟合得到窄峰出现的起点阈值；比较多个所述外延片的窄峰的起点阈值和线宽，基于比较结果，预测所述量子阱有源层的激射特性。本发明的测试方法，可快速判断量子阱有源层激射特性的优劣，测试方法为无损测试，操作过程简单且测试结果稳定性好，能够有效节省测试时间。
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公开(公告)号：CN113358998B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110650166.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种通用LED测试装置及测试方法，属于LED测试技术领域，该方法包括：测试平台，测试平台内嵌有置物台，置物台内开有置物台窗口，置物台的上表面设有上层测试夹，上层测试夹连接有金属电极柱，金属电极柱的顶部位于测试平台的上方，金属电极柱的下部穿过测试平台，置物台的下底面设有下层测试夹，下层测试夹一端与金属电极柱的下部连接；测试底座，测试底座位于测试平台的下方，测试底座内设有电极柱槽，电极柱槽内设有电极触点，电极触点具有弹性，金属电极柱下部位于所电极柱槽内，且与电极触点紧密接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114650634A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210199434.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED模组，包括：若干紫外LED模块、基板、匀光薄膜、变阻器、定时开关和电源，若干紫外LED模块设在基板上，匀光薄膜覆盖若干紫外LED模块，紫外LED模块与变阻器、定时开关和电源电连，变阻器电阻可调以便调节紫外LED模块的光强，定时开关用于控制紫外LED模块的开启和关断时间。本发明提供的紫外LED模组将多个紫外LED模块组装在一起，紫外LED模组通过设置变阻器实现光强可调，通过设置定时开关实现开启和关断时间可调，提高了紫外LED的应用价值。
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公开(公告)号：CN111710762B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010600335.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN111710765B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010600418.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500‑2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5‑10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。
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公开(公告)号：CN112750934A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011616945.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种紫外LED封装结构及其封装方法，其中，该封装结构，包括：立体陶瓷基板，立体陶瓷基板包含有陶瓷基板和开有粘接槽的围坝；紫外LED芯片，紫外LED芯片倒装在陶瓷基板上；密封胶，涂于围坝上的粘接槽内；石英透镜，石英透镜的边缘嵌入涂有密封胶的粘接槽内。
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公开(公告)号：CN109585270B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811362745.7
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。
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