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公开(公告)号：CN119223927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411460841.0
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明的实施例提供一种判断量子阱有源层激射特性的测试方法，包括：选择一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层和量子阱有源层，获取外延片；对所述外延片做变激发功率的表面光致发光测试，采集发光光谱；对获取的每条发光光谱进行单峰或多峰函数拟合，获取量子阱低能端窄峰的积分强度和线宽；绘制量子阱低能端窄峰的积分强度随激发功率变化的散点图，通过线性拟合得到窄峰出现的起点阈值；比较多个所述外延片的窄峰的起点阈值和线宽，基于比较结果，预测所述量子阱有源层的激射特性。本发明的测试方法，可快速判断量子阱有源层激射特性的优劣，测试方法为无损测试，操作过程简单且测试结果稳定性好，能够有效节省测试时间。
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公开(公告)号：CN111710762B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010600335.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN111710765B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010600418.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500‑2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5‑10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。
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公开(公告)号：CN113445130B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110716151.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
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公开(公告)号：CN113451457A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110715860.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上溅射沉积一层底层AlN薄膜层，得到一初始薄膜；多次对所述初始薄膜进行热处理制层处理，在所述初始薄膜上形成多层次层AlN薄膜层，直至所述衬底上的AlN薄膜层的总厚度达到目标值，得到AlN薄膜。在本发明提供的技术方案中，通过溅射沉积形成AlN薄膜，并通过重复进行热处理制层处理，形成AlN薄膜，获得更高晶体质量和更低应力的AlN模板，且制备工艺简单有效稳定，成本低，便于产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111710765A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600418.1
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底；采用Al靶材磁控溅射技术，在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下，在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜，形成AlN模板；将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理，退火温度为1500-2000℃，退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛，退火时间为0.5-10小时；将退火后的衬底和AlN模板清洗后，放入生长设备中，在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元；在所述LED表面覆盖保护层；将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀，其表面腐蚀形成微纳米结构；除去所述LED表面的保护层；进行芯片划裂，形成分立的LED倒装芯片。
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公开(公告)号：CN111710762A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600335.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN119401211A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411467706.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供一种具有超晶格结构的紫外激光器，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层、空穴注入层和P型接触层，P型电极设于所述P型接触层上；N型电极设于所述下限制层上；其中，所述上波导层包括第一超晶格结构层，所述第一超晶格结构层包括交替排布的多个Ba1Alb1Inc1Ga1‑a1‑b1‑c1N势垒层和多个Bu1Alv1Inw1Ga1‑u1‑v1‑w1N势阱层。本发明的紫外激光器，通过引入具有超晶格结构层的上波导层，有效防止电子泄漏到P侧，并改善载流子的注入效率，提高内量子效率，从而提升紫外激光器的性能。
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公开(公告)号：CN117317077A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311533498.3
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种AlGaN基紫外发光器件的制备方法，包括：操作S1：在衬底上制备平坦的AlN模板；操作S2：在所述AlN模板上，生长具有六方凸台表面形貌的恢复层；操作S3：在所述恢复层上三维模式生长AlGaN得到具有岛状凸起的3D‑AlGaN层；操作S4：在所述3D‑AlGaN层上二维模式生长n型AlGaN得到2D‑AlGaN层；以及操作S5：在所述2D‑AlGaN层生长紫外发光器件的功能层，完成紫外发光器件的制备。同时还提供一种通过上述制备方法制备而成的AlGaN基紫外发光器件。
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公开(公告)号：CN113539791A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110716091.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
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