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公开(公告)号：CN108217579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711498022.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。
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公开(公告)号：CN105489756B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510881785.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对GeSbTe合金施加电脉冲能够且仅能够将位于水平对置电极缝隙内的GeSbTe合金材料设置为非晶态。这样通过在碱性溶液中腐蚀适当时间，可以把GeSbTe合金自对准地填充到水平电极缝隙内。工艺简单易行，对要要制备的局限性相变节点没有体积上的限制。本发明对于快速实现小单元功耗、大器件工作可靠性、与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。
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公开(公告)号：CN105529246A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66053
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN105489755A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510874184.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1273
Abstract: 本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一方面，该结构的锥形电极能够把两个电极间的电场在锥尖端附近强化，相当于减小了接触电极的尺寸，减小了有效相变体积，降低了功耗。此外，由于可用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，提高了器件的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN105258786A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510736562.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于AFM的高频谐振子的谐振频率和/或品质因子测量方法，包括：将谐振子器件放于压电陶瓷上，将激励信号加到压电陶瓷上；将压电陶瓷及谐振子器件放于AFM样品台上，扫描谐振子以确定探针在器件表面位置，然后将探针精确定位于谐振子振幅较大的结构上；将激励信号源的频率先定于预先估计的谐振子谐振频率附近，等待激励进入稳定状态；设置激励信号源在估计谐振频率附近扫描，利用原子力显微镜探测在扫描频率下谐振子振动位移；改变探针位置到谐振子附近区域，得到器件在谐振子附近的振动位移；将相同频率的振动位移相减，得到在不同频率下谐振子的净振幅；以及处理得到的数据，得到谐振子的谐振频率和/或品质因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
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公开(公告)号：CN103762248B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410031339.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。
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公开(公告)号：CN104538290A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66053 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
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公开(公告)号：CN104035158A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410270111.4
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法。该光波导芯片包括：衬底；二氧化硅下包层；二氧化硅芯区光波导，其包括输入直波导部分、两个圆弧型弯曲波导部分、阿基米德螺线型弯曲波导部分和输出直波导部分；二氧化硅上包层，其中，输入直波导与阿基米德螺线型弯曲波导的螺线环垂直交叉，以减小X交叉点损耗；两个圆弧型弯曲波导反向相接，平滑地将输入直波导末端与阿基米德螺线型弯曲波导起始端连接起来，并在波导连接处的端面引入最佳的错位偏移量，使得弯曲损耗较小。本发明能够提高陀螺仪的灵敏度，降低陀螺仪的噪声。
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公开(公告)号：CN103762248A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031339.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168
Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。
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