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公开(公告)号：CN102684071A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210155449.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层；一InGaAsP下限制层；一多量子阱有源层；一InGaAsP上限制层，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p-InP层；一p-InGaAsP刻蚀阻止层；一上p-InP盖层；一p-InGaAs欧姆接触层，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。
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公开(公告)号：CN101937873B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010269026.8
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/77 , H01S5/34 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：制作该单片集成器件的晶体管单元。利用本发明，由于激光器与双极型晶体管具有相同的材料结构以及制作工艺，所以大大简化了该种类型光电单片集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN102496853A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110415079.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。
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公开(公告)号：CN101888060B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010196147.4
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101938083B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010231175.5
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102044844A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010564545.7
申请日：2010-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在增益层上，其表面形成有取样光栅结构，该取样光栅光栅结构位于无源波导之上；一p-InP层制作在InGaAsP上限制层上；一p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在p-InP层上；一上p-InP盖层制作在p-InGaAsP刻蚀阻止层上；一p-InGaAs接触层制作在上p-InP盖层上，其上形成有不同区段的隔离沟；一金属电极制作在p-InGaAs接触层的上表面，形成光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构；其中该光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构分为分布放大前取样光栅区、增益区、相区和分布放大的后取样光栅区。
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公开(公告)号：CN101938083A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010231175.5
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101614843B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810115627.6
申请日：2008-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区；在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；减薄解理。
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公开(公告)号：CN101882756A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010196156.3
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101614843A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810115627.6
申请日：2008-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层至InGaAs接触层；在InGaAs接触层上生长一层氧化硅掩膜；将氧化硅掩膜的两侧刻蚀掉，再刻蚀掉氧化硅掩蔽条的两侧，得到深脊结构；湿法腐蚀掉部分深脊结构，形成入射窗口区；在深脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；将衬底上至N型金属欧姆接触外侧边缘以外的各层刻蚀掉；保留入射窗口区一侧的各层，在衬底上形成台面结构；在深脊结构的上面经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的信号电极；在深脊结构两侧的N型金属欧姆接触上经斜台面延伸至衬底上制作钛金行波电极结构的接地电极；减薄解理。
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