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公开(公告)号：CN111362225A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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公开(公告)号：CN109860313A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910132185.4
申请日：2019-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , B82Y30/00
Abstract: 一种基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法，所述太阳电池减反射膜所述表面为纳米锥团簇结构，纳米锥在单位平方微米面积内的数量为5至7个，纳米锥的高度为800至1000nm；其厚度在200μm-500μm之间；其制备方法，包括：步骤A：制备含有V型槽的模板；步骤B：配制PDMS溶液；步骤C：在步骤A所制备的模板上旋涂脱模剂；步骤D：将配置好的PDMS溶液倾倒于步骤C旋涂脱模剂后的模板上，并完全没过模板；步骤E：将覆有PDMS溶液的模板放入真空容器中进行抽气；去除模板上PDMS溶液中的气泡；步骤F：将去除了气泡的PDMS溶液的模板放入烘箱中进行退火；以及步骤G：将退火之后固化的PDMS从模板上揭下，完成基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜的制备。
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公开(公告)号：CN103811589A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410052413.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02167
Abstract: 一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在玻璃衬底上通过溅射生长一层反射镜；步骤2：在反射镜上沉积一层第一金属纳米颗粒；步骤3：在第一金属纳米颗粒上生长第一背电极；步骤4：在第一背电极上再沉积一层第二金属纳米颗粒；步骤5：在第二金属纳米颗粒上再沉积一层第二背电极；步骤6：在第二背电极上生长一层薄膜太阳能电池材料；步骤7：在薄膜太阳能电池材料的上表面上刻蚀出二维光栅结构；步骤8：在二维光栅结构上生长一层前电极，完成制备。本发明是利用前表面光栅和背面双层金属纳米结构对入射光形成多次散射作用，增强对入射光及透射光的作用效果。
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公开(公告)号：CN102051179A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237097.7
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。
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公开(公告)号：CN109686810A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559379.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103762248B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410031339.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。
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公开(公告)号：CN104035158A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410270111.4
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法。该光波导芯片包括：衬底；二氧化硅下包层；二氧化硅芯区光波导，其包括输入直波导部分、两个圆弧型弯曲波导部分、阿基米德螺线型弯曲波导部分和输出直波导部分；二氧化硅上包层，其中，输入直波导与阿基米德螺线型弯曲波导的螺线环垂直交叉，以减小X交叉点损耗；两个圆弧型弯曲波导反向相接，平滑地将输入直波导末端与阿基米德螺线型弯曲波导起始端连接起来，并在波导连接处的端面引入最佳的错位偏移量，使得弯曲损耗较小。本发明能够提高陀螺仪的灵敏度，降低陀螺仪的噪声。
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公开(公告)号：CN103762248A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031339.8
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168
Abstract: 本发明提供了一种具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法。该太阳能电池元件包括：光吸收部件；减反射膜系，形成于光吸收部件的上方，至少包括：具有六角形周期分布纳米孔的Al2O3减反射膜(AAO薄膜)。本发明采用AAO薄膜作为减反射膜，该AAO薄膜的折射率可以在一定范围内调节，以适应多层减反射膜的设计需求。
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公开(公告)号：CN102903790A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210311033.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体太阳电池表面的多层金属纳米颗粒结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体太阳能电池的表面生长一层第一介质膜；步骤2：在第一介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在金属纳米颗粒的上面再生长一层第二介质膜，并对第二介质膜进行平坦化处理；步骤4：在第二介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤5：重复步骤3和步骤4，使在第一介质膜的表面重复交替生长金属纳米颗粒和第二介质膜，最后一层为金属纳米颗粒。本发明通过改变不同层上金属纳米颗粒的尺寸和种类可以扩展表面等离子体对入射光的作用范围。
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公开(公告)号：CN102136492B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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