公开(公告)号：CN103022246B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210506767.2

申请日：2012-11-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘丹 ,  王晨飞 ,  钟艳红 ,  周松敏 ,  林春 ,  叶振华 ,  廖清君 ,  胡晓宁

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。

公开(公告)号：CN119381268A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411497939.3

申请日：2024-10-25

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 赵玉 ,  周松敏 ,  甘志凯 ,  林春

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明公开了一种高密度像元红外焦平面器件充胶的优化方法，该方法步骤包括，选取流动性较好的底充胶，采用一字形或L型方式进行底充胶自然流动填充，静置，然后放入真空装置中进行抽放真空并观察，重复抽放真空直到芯片四周有底充胶溢出。本发明减少了底充胶填充缺陷，增强了芯片与读出电路的连接强度，提高了器件可靠性。尤其适用于大规模小中心距的红外焦平面。

公开(公告)号：CN105047574B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510295755.3

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周松敏 ,  翁彬 ,  刘丹 ,  林春 ,  徐刚毅 ,  李浩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法，该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上，通过光刻工艺，设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触，剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后，用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试，并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单，便于实现在线分析PN结结宽。

公开(公告)号：CN104037101A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410259001.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘丹 ,  陈昱 ,  冯婧文 ,  周松敏 ,  曹菊英 ,  林春 ,  何高胤 ,  胡晓宁

IPC: H01L21/60 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L24/11 ,  C09G1/02 ,  H01L31/02024 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。

公开(公告)号：CN104035017A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410258872.8

申请日：2014-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 何凯 ,  陈星 ,  李杨 ,  张勤耀 ,  王建新 ,  林春 ,  周松敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法，它涉及到半导体器件结构性能的检测和表征领域，其步骤包括：1.建立非线性传输线模型；2.测量半导体薄膜材料上平行双矩形电极的I-V曲线；3.利用关系式R＝dV/dI获得R-V曲线；4.利用非线性传输线模型计算测试结构的理论R-V曲线；5.利用模拟退火遗传算法拟合金属半导体接触的物理参数。本发明的优点为：建立了非线性传输线模型和相应的数值算法，可以定量的提取金属半导体接触相关物理参数，为精确表征和分析非线性金属半导体接触提供了新的方法。