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公开(公告)号:CN119492903A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202411596045.X
申请日:2024-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外芯片极弱暗电流的表征方法,包括:根据测试系统极限、红外芯片预期盲元率和暗电流,计算阵列像元数量的下限与上限;将红外芯片的像元阵列引出到测试管脚;利用数字源表测量像元阵列的总暗电流;暗电流根据阵列规格归一化;剔除由短路像元引入的暗电流明显偏大的异常结果;得到该器件单个像元的暗电流。本发明采用多像元并联的方法,使阵列总暗电流可以被现有测试系统准确测量,并给出了阵列像元数量的计算方法,为极弱暗电流的红外芯片提供了一种简单快捷、普适性强的表征方法。
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公开(公告)号:CN119804439A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411898901.7
申请日:2024-12-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种周期性高密度柱形物体均匀性测量与评价的方法,包括步骤S1:利用显微镜获得周期性高密度柱形物体的高度与坐标的数据,并将其组织为数据矩阵;步骤S2:根据采集的数据矩阵,重建并绘制出周期性高密度柱形物体的原始形貌,计算周期性高密度柱形物体的周期性高密度柱形物体的平均高度,并设定需要计算均匀性的相对高度;步骤S3:确定数据矩阵所包含的每个周期性高密度柱形物体中心的坐标;步骤S4:针对每个周期性高密度柱形物体,在设定的相对高度下,计算其截面面积,并将结果存入截面积数据矩阵;步骤S5:对截面积数据矩阵进行统计分析;步骤S6:根据步骤S4的计算结果,绘制在设定相对高度下的周期性高密度柱形物体截面图。
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公开(公告)号:CN119381268A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411497939.3
申请日:2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度像元红外焦平面器件充胶的优化方法,该方法步骤包括,选取流动性较好的底充胶,采用一字形或L型方式进行底充胶自然流动填充,静置,然后放入真空装置中进行抽放真空并观察,重复抽放真空直到芯片四周有底充胶溢出。本发明减少了底充胶填充缺陷,增强了芯片与读出电路的连接强度,提高了器件可靠性。尤其适用于大规模小中心距的红外焦平面。
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