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公开(公告)号：CN115295101A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210954213.2
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种胶粘剂与高分子材料的兼容性的评估方法，属于材料分析技术领域。该方法包括：取相同的含有待测高分子材料的电子产品分为样品试样和对照试样，将样品试样及待测的胶粘剂置于第一密闭容器内，加热以使胶粘剂中含有的小分子挥发物挥发出来并扩散至样品试样中高分子材料的内部；对照试样作为对照；将加热处理后两组电子产品进行加速劣化处理；随后进行对比，若加速劣化处理后的两组电子产品无明显差异，则胶粘剂与电子产品兼容，反之不兼容。该方法简单，易操作，既可以用于研发过程中，确定胶粘剂与相邻的高分子材料是否兼容，也可以用于失效分析工作中，复现胶粘剂与相邻高分子材料不兼容导致的失效现象。
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公开(公告)号：CN115265449A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210664525.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B21/10
Abstract: 本申请涉及一种键合金丝的直径测量方法、装置、计算机设备及存储介质，通过获取键合金丝的多个键合金丝分段的重量，然后根据多个键合金丝分段组中两个键合金丝分段的重量差，确定键合金丝的直径变化趋势曲线。其中，各键合金丝分段组包括任意相邻的两个键合金丝分段。最后根据直径变化趋势曲线，确定键合金丝的直径均匀度变化趋势。该方法能够判别键合金丝直径均匀度且测量结果准确度高。
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公开(公告)号：CN115164745A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210662134.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种金属材料内氧化层深度的检测方法，包括以下步骤：在待测量样品上切出截面；对所述截面进行离子研磨处理；观察经过所述离子研磨处理的所述截面，并测量内氧化层的深度。上述金属材料内氧化层深度的检测方法，在待测量样品上切出截面，再对所述截面进行离子研磨处理，由于氧化层与非氧化层存在力学性能的差异，经过离子研磨处理后，内氧化层和非氧化层会形成高度差，使得内氧化层和非氧化层之间的界线显露出来，从而能够较为直观准确地检测金属材料的内氧化深度。上述检测方法在内氧化合金材料的工艺研究、质量评估、可靠性评估和失效分析等方面具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114414655A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210092832.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件表面腐蚀层厚度的检测方法，属于分析检测技术领域。该方法采用飞行时间二次离子质谱仪对待测电子元器件样品表面进行腐蚀元素定位，采集样品表面成分信息，确认腐蚀元素，随后进行纵向深度剖析，当腐蚀元素原子数不再随剥离深度变化或检测不出腐蚀性元素时，以此时的剥离深度作为腐蚀层厚度。该方法检测步骤简单，成本较低，无须额外制样，检测效率高，检测灵敏度高可达ppm至ppb，精度达到纳米级，能够准确获取腐蚀层厚度，对微型元器件的质量评估、可靠性评估和失效分析等方面具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114923752B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210538669.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/40 , G01N21/3563 , G01N23/2005 , G01N23/207 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种有机硅胶粘剂填料的鉴别方法，属于填料鉴别技术领域。该方法包括以下步骤：将待鉴别的有机硅胶粘剂填料进行纯化；将部分纯化后的有机硅胶粘剂填料附着于导电胶表面，得到A样；将剩余部分纯化后的有机硅胶粘剂填料在制成A样后进行固封，制作暴露出填料颗粒截面的金相切片，得到B样；分别A样和B样中的填料成分进行分析鉴定。该方法能够有效规避有机硅成分对鉴别效果的干扰，实现从表面和截面两个维度对填料进行鉴别，得到尺寸、形貌、结构、元素分布及物相组成等多种用于鉴别填料的信息，快速获得准确的鉴别结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114994449A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210839763.X
申请日：2022-07-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电子材料的兼容性测试装置、方法和计算机设备。电子材料制备于清洗后的电极板上，电极板包括多种间距类型的梳形电极，不同间距类型的梳形电极之间的导电带宽不同，不同间距类型的梳形电极之间的导电带间隙不同，且多种间距类型的梳形电极中的至少一个梳形电极的导电带宽小于预设标准带宽且导电带间隙小于预设标准带间隙；兼容性测试装置包括清洗后的电极板、金手指；清洗后的电极板与金手指连接，用于对电子材料进行兼容性测试，以得到电子材料的兼容性测试结果。采用本装置能够对印刷电路中的电子材料开展兼容性测试。
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公开(公告)号：CN114594119A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
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公开(公告)号：CN114295536A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111406433.3
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N17/00
Abstract: 本申请涉及一种高分子材料评估方法、装置、计算机设备和存储介质。装置包括：测试主体装置以及老化箱，测试主体装置包括容器以及设置在容器内的支架，容器，用于盛放目标液体介质，目标液体介质与待测试的高分子材料所处应用环境中的液体特性参数相匹配，支架，用于分层放置待测试的高分子材料，使得待测试的高分子材料与目标液体介质接触，老化箱，用于容纳测试主体装置，提供测试主体装置的老化测试环境。能够在一定程度上排除温度之外的其他应力对高分子材料寿命测试的干扰，提高对高分子材料老化性能的测试准确性。
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公开(公告)号：CN111982425A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010703600.X
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01M3/32
Abstract: 本申请公开了一种锂离子电池气密性检测方法及装置。锂离子电池气密性检测方法包括：去除锂离子电池表面的附着物；将锂离子电池浸没在液体中；加热液体至预设温度；监测锂离子电池的表面是否有气泡冒出，若是，则为不合格品。上述锂离子电池气密性检测方法操作简便可使技术人员快速、准确地定位锂离子电池的泄漏位置，进而为电池封装工艺的改进优化和失效分析提供准确的依据，且该锂离子电池气密性检测方法步骤简单、测试效率高，对电池后期的抽样检测、可靠性评估和失效分析等也有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN110963526A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911256758.0
申请日：2019-12-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种钛基氧化物二维材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)获取钛酸铯粉末，并与盐酸的水溶液混合，进行离子交换，收集沉淀物，清洗，干燥，得层状结构的水合钛酸；(2)将所述层状结构的水合钛酸分散于水中，加入插层剂进行剥层处理，然后离心，收集清液。该制备方法能够通过便于工业化应用的工艺方法制备得到钛基二维材料，能耗小，成本低，工艺便于控制，且制得的钛基二维材料的二维平面面积大，功能性优异。
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