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公开(公告)号：CN114923752A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210538669.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/40 , G01N21/3563 , G01N23/2005 , G01N23/207 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种有机硅胶粘剂填料的鉴别方法，属于填料鉴别技术领域。该方法包括以下步骤：将待鉴别的有机硅胶粘剂填料进行纯化；将部分纯化后的有机硅胶粘剂填料附着于导电胶表面，得到A样；将剩余部分纯化后的有机硅胶粘剂填料在制成A样后进行固封，制作暴露出填料颗粒截面的金相切片，得到B样；分别A样和B样中的填料成分进行分析鉴定。该方法能够有效规避有机硅成分对鉴别效果的干扰，实现从表面和截面两个维度对填料进行鉴别，得到尺寸、形貌、结构、元素分布及物相组成等多种用于鉴别填料的信息，快速获得准确的鉴别结果。
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公开(公告)号：CN115824800A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211293483.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种板材载荷测试装置，包括：支撑组件，支撑组件用于支撑待测板；分配梁机构，分配梁机构包括主分配梁单元及层叠设置于主分配梁单元与待测板之间的至少一层次级分配梁组件，每层次级分配梁组件均包括沿待测板的长度方向间隔设置的至少两个次级分配梁单元；加载机构，加载机构用于向主分配梁单元施加朝向待测板方向的载荷。当加载机构作业时，加载机构集中向主分配梁单元施加的载荷可通过每层次级分配梁组件中多个次级分配梁单元进行分散，最后施加在待测板上各处，如此，可精确还原待测板的使用环境，使得待测板的受力更加贴近其实际使用时的受力情况。
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公开(公告)号：CN113740331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110843154.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了一种稀土金属氧化物晶体的位错检测方法，包括以下步骤：利用质量分数为75％～95％的磷酸溶液在80℃～200℃下对所述稀土金属氧化物晶体刻蚀处理10分钟～60分钟，制备预处理样品；对所述预处理样品进行观察，获取所述稀土金属氧化物晶体的位错特征。通过对稀土金属氧化物晶体选择适当的刻蚀温度以及刻蚀液，使晶体结构中的位错易于在光学显微镜下以及扫描电子显微镜下进行观察，不仅可以判断稀土金属氧化物的晶体结构中位错的类型，还能进一步计算出晶体位错密度。上述测试方法成本低且周期短，避免传统透射电子显微镜对样品进行繁琐处理以及X射线衍射不能对晶体位错类型进行判断的缺陷。
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公开(公告)号：CN109888610A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910124254.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种多工位半导体激光器可靠性测试系统，其中电源控制模块与激光电源连接，用于将激光电源的输出分多路并对应提供给每个激光器；电参数采集板与电源控制模块连接，用于采集电源控制模块的多路输出的电参数，作为对应激光器的电参数传送到工控机；温度控制模块用于控制激光器的温度；温度探测器用于检测激光器的温度并将温度数据传送到工控机；光探测模块用于接收激光器发射过来的光，采集激光器的功率数据，并将采集到的功率数据传送到工控机；工控机接收电参数、温度数据和功率数据，对激光器的可靠性进行监控。本发明适合于多工位小功率激光器的自动测试，可靠性高。
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公开(公告)号：CN114923752B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210538669.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/40 , G01N21/3563 , G01N23/2005 , G01N23/207 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种有机硅胶粘剂填料的鉴别方法，属于填料鉴别技术领域。该方法包括以下步骤：将待鉴别的有机硅胶粘剂填料进行纯化；将部分纯化后的有机硅胶粘剂填料附着于导电胶表面，得到A样；将剩余部分纯化后的有机硅胶粘剂填料在制成A样后进行固封，制作暴露出填料颗粒截面的金相切片，得到B样；分别A样和B样中的填料成分进行分析鉴定。该方法能够有效规避有机硅成分对鉴别效果的干扰，实现从表面和截面两个维度对填料进行鉴别，得到尺寸、形貌、结构、元素分布及物相组成等多种用于鉴别填料的信息，快速获得准确的鉴别结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118260809A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410409847.9
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种质量数据可信化处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：确定质量数据可信度检测场景下的多个数据源；归属于不同数据源的数据之间存在信息正交性，且归属于每个数据源的数据与质量数据可信度检测场景下的原始质量数据之间存在信息正交性；从多个数据源获取多元数据，融合原始质量数据和多元数据得到目标质量数据；将目标质量数据上传至联盟区块链；联盟区块链包括可信度评估节点和剩余节点；当确定目标质量数据通过可信度评估，对目标质量数据进行签验，得到可信质量数据，并将可信质量数据的签验信息同步至剩余节点。采用本方法能够提高质量链传递效率，确保传递的质量数据可信可溯源、不可篡改。
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公开(公告)号：CN114594119A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
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公开(公告)号：CN110048774A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910228019.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04B10/116 , G09F27/00
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信博物馆讲解系统，包括电源模块、可见光调制模块、可调制光源和终端设备；所述可见光调制模块由单片机和可调制光源驱动电路组成；所述单片机存储有展览物品编号信息；还包括光电转换模块，所述光电转换模块上设置有耳机接口或者USB接口；所述可调制光源为LED灯、条形灯、投光灯、线条灯、白光灯、黄光灯中的一种的可调制光源；所述终端设备为多媒体设备；所述多媒体设备为手机，所述手机上设置有光敏传感器或者摄像头；所述光敏传感器或摄像头可将所述可见光信号转换为电信号；本发明通过可见光获得展览物品的编号，并具有室内定位功能，实现走到哪讲解到哪。
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公开(公告)号：CN115164745A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210662134.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种金属材料内氧化层深度的检测方法，包括以下步骤：在待测量样品上切出截面；对所述截面进行离子研磨处理；观察经过所述离子研磨处理的所述截面，并测量内氧化层的深度。上述金属材料内氧化层深度的检测方法，在待测量样品上切出截面，再对所述截面进行离子研磨处理，由于氧化层与非氧化层存在力学性能的差异，经过离子研磨处理后，内氧化层和非氧化层会形成高度差，使得内氧化层和非氧化层之间的界线显露出来，从而能够较为直观准确地检测金属材料的内氧化深度。上述检测方法在内氧化合金材料的工艺研究、质量评估、可靠性评估和失效分析等方面具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114594119B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
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