-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115164745A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210662134.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种金属材料内氧化层深度的检测方法，包括以下步骤：在待测量样品上切出截面；对所述截面进行离子研磨处理；观察经过所述离子研磨处理的所述截面，并测量内氧化层的深度。上述金属材料内氧化层深度的检测方法，在待测量样品上切出截面，再对所述截面进行离子研磨处理，由于氧化层与非氧化层存在力学性能的差异，经过离子研磨处理后，内氧化层和非氧化层会形成高度差，使得内氧化层和非氧化层之间的界线显露出来，从而能够较为直观准确地检测金属材料的内氧化深度。上述检测方法在内氧化合金材料的工艺研究、质量评估、可靠性评估和失效分析等方面具有较大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113740331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110843154.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了一种稀土金属氧化物晶体的位错检测方法，包括以下步骤：利用质量分数为75％～95％的磷酸溶液在80℃～200℃下对所述稀土金属氧化物晶体刻蚀处理10分钟～60分钟，制备预处理样品；对所述预处理样品进行观察，获取所述稀土金属氧化物晶体的位错特征。通过对稀土金属氧化物晶体选择适当的刻蚀温度以及刻蚀液，使晶体结构中的位错易于在光学显微镜下以及扫描电子显微镜下进行观察，不仅可以判断稀土金属氧化物的晶体结构中位错的类型，还能进一步计算出晶体位错密度。上述测试方法成本低且周期短，避免传统透射电子显微镜对样品进行繁琐处理以及X射线衍射不能对晶体位错类型进行判断的缺陷。
-
公开(公告)号：CN117406145A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311371911.0
申请日：2023-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电连接器可靠性分析方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：基于待测样品的实际使用状态，确定待测样品的测试类型；对于待测样品同批次的多个参考样品，根据测试类型，获取每一参考样品的接触电阻测试数据；根据每一参考样品的接触电阻测试数据，确定待测样品的接触电阻变化规律；以及接触电阻最大值；根据所述接触电阻变化规律和所述接触电阻最大值，分析所述待测样品的实际可靠性以及剩余使用寿命。通过标准化的测试装置可以完成反复插拔测试和接触持久性测试，能够得到每一待测样品的实际接触电阻最大值，进而对元件级或产品级的电连接器的可靠性和剩余寿命进行精准分析。
-
公开(公告)号：CN114594119B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
-
公开(公告)号：CN114594119A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.065 seconds)
