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公开(公告)号：CN117406145A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311371911.0
申请日：2023-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电连接器可靠性分析方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：基于待测样品的实际使用状态，确定待测样品的测试类型；对于待测样品同批次的多个参考样品，根据测试类型，获取每一参考样品的接触电阻测试数据；根据每一参考样品的接触电阻测试数据，确定待测样品的接触电阻变化规律；以及接触电阻最大值；根据所述接触电阻变化规律和所述接触电阻最大值，分析所述待测样品的实际可靠性以及剩余使用寿命。通过标准化的测试装置可以完成反复插拔测试和接触持久性测试，能够得到每一待测样品的实际接触电阻最大值，进而对元件级或产品级的电连接器的可靠性和剩余寿命进行精准分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113740331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110843154.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了一种稀土金属氧化物晶体的位错检测方法，包括以下步骤：利用质量分数为75％～95％的磷酸溶液在80℃～200℃下对所述稀土金属氧化物晶体刻蚀处理10分钟～60分钟，制备预处理样品；对所述预处理样品进行观察，获取所述稀土金属氧化物晶体的位错特征。通过对稀土金属氧化物晶体选择适当的刻蚀温度以及刻蚀液，使晶体结构中的位错易于在光学显微镜下以及扫描电子显微镜下进行观察，不仅可以判断稀土金属氧化物的晶体结构中位错的类型，还能进一步计算出晶体位错密度。上述测试方法成本低且周期短，避免传统透射电子显微镜对样品进行繁琐处理以及X射线衍射不能对晶体位错类型进行判断的缺陷。
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公开(公告)号：CN115265449A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210664525.X
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B21/10
Abstract: 本申请涉及一种键合金丝的直径测量方法、装置、计算机设备及存储介质，通过获取键合金丝的多个键合金丝分段的重量，然后根据多个键合金丝分段组中两个键合金丝分段的重量差，确定键合金丝的直径变化趋势曲线。其中，各键合金丝分段组包括任意相邻的两个键合金丝分段。最后根据直径变化趋势曲线，确定键合金丝的直径均匀度变化趋势。该方法能够判别键合金丝直径均匀度且测量结果准确度高。
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公开(公告)号：CN114594119A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
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公开(公告)号：CN114594119B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210080468.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/225 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
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公开(公告)号：CN115343657A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210733328.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种键合材料的熔断电流测试板、系统、方法及装置，熔断电流测试板上设置有m个第一键合点和n个第二键合点，键合材料的第一端与一个第一键合点键合，键合材料的第二端与一个第二键合点键合，与第一端连接的第一键合点与供电模块的第一输出端连接，与第二端连接的第二键合点与供电模块的第二输出端连接，用于根据供电模块输出的供电电压，测试键合材料的熔断电流。本申请提供的一种键合材料的熔断电流测试板，由于采用键合方式将键合材料键合于熔断电流测试板上，可以解决夹持测试方法对键合材料的夹持损伤、夹持变型问题，测试结果准确且更接近键合材料上装使用状态下实际的熔断电流。
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