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公开(公告)号：CN103978215B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410241645.4
申请日：2014-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: B22F3/14
Abstract: 本发明涉及电极制备技术领域，具体公开了一种金属氢化物电极制备方法和装置及其使用方法，金属氢化物电极制备方法，采用金属氢化物粉末热压成型制备金属氢化物电极，采用0.5GPa -5Gpa高压将金属氢化物粉末压制成型；保持高压并加热成型电极至300℃-900℃并在此温度范围内保持0.5min以上，消除内应力，制备满足形状、尺寸和强度要求的储氢电极。本发明能够获得成分更均匀的电极，能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷，制备的电极强度高，并且电极制备时间短，具有结构均匀性好、通用性强的等优点。
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公开(公告)号：CN116669274A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310648824.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了扫描式液冷X射线透射转换靶、电子加速器及电子设备，涉及电子加速器技术领域，其技术方案要点是：包括扫描线圈、扫描真空腔和液冷靶；扫描线圈，套接在扫描真空腔外接加速器的电子束出射窗所对应的后端，用于实现电子束在靶上二维偏转扫描；液冷靶，安装在扫描真空腔的前端，用于将轰击在靶上的电子束能量转换成X射线；其中，液冷靶由多个靶单元拼接组成，靶单元中的冷却通道设置有用于调节冷却通道中冷却液流量的导流件。本发明采用电子束扫描与液冷结合的方式，降低了电子束轰击区的温度，同时降低了扫描频率和扫描磁铁的设计难度，提升了X射线靶的性能，避免了大功率电子束轰击造成的转换靶烧蚀损坏。
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公开(公告)号：CN110942967B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201911283990.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种X射线管，包括阳极座、阳极靶、聚焦槽和阴极，所述阳极座呈圆环形结构，阳极靶沿圆环形结构周向分布设置在阳极座的内壁上、且在X射线管轴向截面方向上阳极靶的轰击面呈倒圆台形结构；所述阴极位于圆环形结构圆心处，沿阴极的外壁周向设有聚焦槽，聚焦槽内分布设有阴极灯丝。本发明提供的一种X射线管，可大幅提高固定阳极X射线管功率，提供均匀性好的大剂量定向X射线辐射场。一般固定阳极X射线管的实际焦点尺寸最大在5mm水平，由于本发明的阳极是安装在阴极及聚焦槽的外面，可形成尺寸大得多的环形焦斑，最大可在100mm以上，X射线辐射场均匀性更好。
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公开(公告)号：CN107739859B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711026835.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢无裂纹锆钛铜合金电极源片的制备工艺，(a)采用金属钛、金属锆和金属铜作为原料，根据原料的配比，采用水冷铜坩埚电磁感应真空悬浮熔炼的方法制备锆钛铜合金；(b)将步骤(a)得到的锆钛铜合金锭加工成一定形状和尺寸的样品，并对其表面进行一系列预处理；(c)将步骤(b)得到的锆钛铜合金样品进行吸氢反应，制备出成品。本发明的将从更为本质的材料本身着手，重点研制一种性能优良的合金材料，这种合金材料能够在吸氢过程中，通过某些微量元素的钉扎作用，减少因氢化作用产生的体涨和氢脆效应。
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公开(公告)号：CN106544628B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710017958.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法，首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理；其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内，并用氩离子轰击衬底表面，溅射掉衬底表面的氧化层；第三，设置衬底的镀膜温度，真空腔内通入高纯氘气，启动镀膜机，直接制备形成含氘金属薄膜，第四，关闭镀膜机，但继续向真空腔室内通入氘气，直至腔体内达到合适的气压才关闭氘气流量计。本发明提高了含氘金属薄膜靶的力学性能，有效控制了脆性、裂纹的发生，增加了靶膜的附着力；同时降低了表面死层厚度，提高靶膜纯度，提高了中子发生器的中子产额，延长了靶的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108896594A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次污染。
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公开(公告)号：CN104944375A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510291419.1
申请日：2015-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: C01B6/02
Abstract: 本发明公布了一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺，包括（a）采用金属钛作为原料制造电极源片工件，并对其表面进行预处理；（b）将步骤（a）得到的预处理电极源片工件在真空下进行高温退火；（c）将退火后的电极源片工件进行吸氢反应；（d）设置降温曲线使得吸氢反应进行一定时间，将吸氢后的工件进行冷却至室温，得到成品电极源片。本发明生产出的电极源片表面均匀的氢化层没有宏观裂纹，在强磁脉冲放电的情况下，各个部位的氢化层受到的外部冲击是一样的，不会发生并形成喷裂，大大提升了产品的放电稳定性，也极大地延长了电极源片的寿命。
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公开(公告)号：CN108896594B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811087187.8
申请日：2018-09-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种材料二次电子发射特性测量样品预处理装置，包括真空腔体及真空泵，还包括加热装置，所述加热装置包括底桶及压盖；还包括驱动部，所述驱动部用于驱动压盖沿着底桶开口端的朝向方向运动；还包括样品存储台，在所述压盖扣合于底桶开口端上时，所述样品存储台位于底桶与压盖两者所围成的空间内；还包括抓取转运部及闸门部，所述闸门部作为所述封闭空间与真空腔体外侧的通道；所述加热装置用于对底桶与压盖两者所围成的空间进行加热。该预处理装置不仅能够有效消除样品表面吸附气体与挥发性有机沾染物对材料二次电子发射特性测量的影响，同时其结构设计可有效避免样品由预处理腔转移至测量腔过程中受到二次(56)对比文件陈达新;常天海;秦晓刚.空间材料二次电子发射特性智能测试系统的设计.真空与低温.2009,(第03期),170-173、184.王洁.新一代加速器真空室结构材料表面处理及二次电子特性研究《.中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2018,(第02期),C040-1.
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公开(公告)号：CN109100380B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810966450.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种双层栅网球形二次电子收集器，包括由内到外的：球形接地栅网、球形偏压栅网、球形二次电子收集极、球形接地屏蔽电极；上半球的顶部开有用于导入入射电子束的孔，下半球的底部开有用于将被测样品通过样品测试载台送入二次电子收集器中心的孔；两层球形栅网与两层球形电极之间彼此绝缘，内层球形栅网接地，用于屏蔽偏压球形栅网引入的电场；外层球形栅网接偏压电源，通过正负偏压的切换实现对真二次电子和背散射电子的甑别；外层球形栅网接可调电压的负电压源，对能够通过外层球形栅网的二次电子进行能量筛选；该收集器可以提高二次电子收集效率，降低被测信号受到的干扰，从而提高固体材料二次电子发射特性的测量准确度。
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公开(公告)号：CN111641110A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010630490.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种伪火花开关，包括伪火花开关本体，该伪火花开关本体包括阴极封接件、绝缘外壳、空心阴极、空心阳极和阳极封接件，该伪火花开关还包括触发极、绝缘体、触发电源和放电电路，以实现通过放电电路放电触发伪火花开关工作，提高伪火花开关的工作效率，使得伪火花开关可以适用于对时间要求高的工作场景中。
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