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公开(公告)号：CN102544214B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210001623.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，工作气压为0.3Pa，溅射功率为150W，溅射时间为20min；接着使用快速退火仪，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，生长温度为92.5℃，生长时间为2h；最后用管式退火炉，在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火，温度为400℃，时间为30min。
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公开(公告)号：CN104037269A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410254559.7
申请日：2014-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L21/02686 , H01L31/077
Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。
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公开(公告)号：CN103236452A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141053.0
申请日：2013-04-23
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硒气氛下对铜锌锡硫薄膜进行硒化处理的方法。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明包括如下步骤:将硒粒和涂覆有铜锌锡硫薄膜的载玻片放入石英管中并抽高真空至5×10-4Pa，用氢氧焰加热管口至熔融并冷却封管。将石英管放入500-550℃的管式退火炉中进行热处理30min，进行铜锌锡硫薄膜的硒化处理。
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公开(公告)号：CN102800747A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210237891.3
申请日：2012-07-11
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，接着使用真空管式炉，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液。最后，通过水热法硫化生长ZnS壳层结构，生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺（TAA）的水溶液，在水热反应釜中硫化1~9小时后取出，然后放入烘箱烘干，即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。
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公开(公告)号：CN102020311B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010571762.9
申请日：2010-12-03
Applicant: 上海大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种具有分级结构纳米TiO2的制备方法。其制备工艺流程为：以金属Ti片为基底，NaOH为反应溶液，SnCl4·5H2O作为矿化剂，使用水热法制备出Na2Ti5O11前躯体，使用HCl溶液经过离子交换得到H2Ti5O11，退火后得到具有分级结构的纳米TiO2。其中NaOH水溶液浓度为0.5-2mol/L，SnCl4·5H2O水溶液的浓度为0.05-0.2mol/L，HCl溶液浓度为0.05-2 mol/L，水热反应温度为160-220℃，水热反应时间为12-60h，退火温度为450-750℃，退火时间为0.5h-3.5h。本发明采用水热法合成具有分级结构的纳米TiO2，具有较高的比表面积，防止了纳米结构的二次团聚，将有利于提高材料的光催化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102337588A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110336271.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的高取向性多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高取向性多晶碘化汞厚膜。
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公开(公告)号：CN114934255A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210428767.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种亲水改性高分子膜及其制备方法，涉及膜材料技术领域。本发明提供的亲水改性高分子膜包括高分子膜和复合在所述高分子膜表面的亲水金属氧化物层。本发明提供的亲水改性高分子膜具有显著改善的亲水性，而且具有良好的力学性能和时效性。本发明还提供了所述亲水改性高分子膜的制备方法，本发明采用磁控溅射法或等离子体增强原子层沉积法制备亲水改性高分子膜，不依赖于基材的化学性质，具有普适性；且可通过调节溅射或原子层沉积的时长，实现亲水金属氧化物在膜表面不同厚度的沉积，使膜的亲水性在较大范围内可调，便于根据实际需求调控亲水性能；此外，所述制备方法操作方便、过程简单，便于自控化控制，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN105891949B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610338171.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。
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公开(公告)号：CN108823590A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810631432.0
申请日：2018-06-19
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种利用电子辐照进行TiO2纳米线阵列改性的方法及其应用，首先进行水热法制备TiO2纳米线阵列，制备TiO2致密层并通过水热法合成TiO2纳米线阵列，然后利用电子辐照TiO2纳米线阵列，得到TiO2纳米线阵列光电器件。本发明制备的TiO2纳米线阵列光电器件能应用于电化学分解水制氢工艺，进行水的电解制备氢能源。本发明方法引入电子辐照方法，一方面能可控调控晶格缺陷来改善TiO2的载流子浓度及迁移率，从而有效的提高TiO2光阳极材料的光生载流子传输和分离效率；另一方面由于该方法是在原子级别上对材料进行改性处理，具备独有的兼容性，能与其它离子掺杂、异质结结构等方法很好地结合，从而能进一步促进光吸收红移以及光生载流子的横向运输能力，减少载流子复合，大幅度提高TiO2光阳极器件的光电流密度。工艺简单，可重复性好，经济性效益大。
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公开(公告)号：CN103236466A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310117598.8
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。
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