公开(公告)号：CN105524616A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510826663.3

申请日：2015-11-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 李冬梅 ,  黄凯翔 ,  张方方 ,  李杰 ,  杨柳

IPC: C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe:Eu量子点的水相制备方法。该方法首先利用硼氢化钠（NaBH4）和碲粉反应制备碲氢化钠（NaHTe），然后将硒氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/硝酸镉、巯基乙酸溶液中，两者反应生成淡黄绿色的CdZnTe:Eu量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、团聚少；它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

公开(公告)号：CN105891949B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610338171.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 张方方 ,  李冬梅 ,  杨伟光 ,  黄璐 ,  沈春夏 ,  马磊 ,  刘功龙 ,  史伟民

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。

公开(公告)号：CN105315996A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510826546.7

申请日：2015-11-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 李冬梅 ,  黄凯翔 ,  张方方 ,  李杰 ,  杨柳 ,  程涛

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及一种ZnTe/ZnSe核壳型量子点及其制备方法。该量子点是以ZnTe为核，在其表面修饰ZnSe；所述的ZnTe核的粒径为5nm左右；所述的核与壳的质量比为：1:2。本发明制备的ZnTe/ZnSe量子点具有稳定性好、团聚少等特点，可在常温避光存储下储藏两个月之久，说明其稳定性较好。解决了量子点稳定性较差，无法长期存储问题，使其在生物荧光标记和光电材料等领域显示出很大的应用前景。本发明方法在酸性条件下进行，抑制了水溶液中Zn离子的水解，通过对ZnTe量子点表面包覆，制备出了较高量子产率、高稳定性的ZnTe/ZnSe量子点。

公开(公告)号：CN105891949A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610338171.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 张方方 ,  李冬梅 ,  杨伟光 ,  黄璐 ,  沈春夏 ,  马磊 ,  刘功龙 ,  史伟民

IPC: G02B6/122

CPC classification number: G02B6/1225 ,  G02B2006/12176

Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。

公开(公告)号：CN105182067A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510638196.1

申请日：2015-09-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 李冬梅 ,  王刚 ,  黄凯翔 ,  张方方 ,  李杰

IPC: G01R23/02

Abstract: 本发明公开了一种SOC芯片频率测试方法，使用ATE测试芯片时钟系统，芯片通过测试端口传输信号到信号通道，然后再传输到ATE中进行测试。这样每个测试信号对应一个信号通道。对测试结果比特化，得到测试数据。启用ATE上HRAM的OneBitMode，将比特化数据放入HRAM中。对测试数据进行快速傅立叶变换FFT处理，并加上汉宁窗以减少误差并且更容易进行插值运算。本算法优势在于通过加汉宁窗，有利于插值运算并且筛选出FFT之后的多余信息，最后通过插值运算得到最终频率。并且FFT算明显耗时短，明显减少测试时间。而通过插值运算明显提升测试精度，最终提升测试效率。

公开(公告)号：CN105182067B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510638196.1

申请日：2015-09-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 李冬梅 ,  王刚 ,  黄凯翔 ,  张方方 ,  李杰

IPC: G01R23/02

Abstract: 本发明公开了一种SOC芯片频率测试方法，使用ATE测试芯片时钟系统，芯片通过测试端口传输信号到信号通道，然后再传输到ATE中进行测试。这样每个测试信号对应一个信号通道。对测试结果比特化，得到测试数据。启用ATE上HRAM的OneBitMode，将比特化数据放入HRAM中。对测试数据进行快速傅立叶变换FFT处理，并加上汉宁窗以减少误差并且更容易进行插值运算。本算法优势在于通过加汉宁窗，有利于插值运算并且筛选出FFT之后的多余信息，最后通过插值运算得到最终频率。并且FFT算明显耗时短，明显减少测试时间。而通过插值运算明显提升测试精度，最终提升测试效率。