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公开(公告)号：CN102800635A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210159543.9
申请日：2012-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/34
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/4824 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L2223/6644 , H01L2224/16 , H01L2924/1305 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够有效地进行散热的半导体装置。在主体芯片（1）的表面设置有电路图案（4），该电路图案（4）具有源极焊盘（5）。在盖芯片（2）的表面设置有凹部（11），在背面设置有凹部（12）。盖芯片（2）以使凹部（11）与电路图案（4）对置的方式与主体芯片（1）接合。在盖芯片（2）的凹部（11）的底面设置有焊盘（13）。在盖芯片（2）的凹部（12）中填充有金属构件（14）。贯通电极（15）贯通盖芯片（2），连接焊盘（13）和金属构件（14）。凸起（16）连接源极焊盘（5）与焊盘（13）。
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公开(公告)号：CN102456616A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317588.X
申请日：2011-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。
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公开(公告)号：CN118525451A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280065901.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开的功率放大器具备：晶体管、与所述晶体管的漏极连接的主线路、从所述主线路分支并与漏极焊盘连接的分支线路、以及设置于所述分支线路上的漏极偏置电路，所述漏极偏置电路具有：与所述分支线路连接的第一分流电容器、和在所述第一分流电容器与所述漏极焊盘之间与所述分支线路连接的第二分流电容器，所述第一分流电容器在所述晶体管的动作频率下为电容性，所述第二分流电容器在所述动作频率下为感应性，在所述动作频率下，所述第一分流电容器和所述第二分流电容器谐振。
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公开(公告)号：CN107210228B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201580075517.X
申请日：2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号：CN102376664A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110225510.5
申请日：2011-08-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/12 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L21/6835 , H01L23/49833 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L29/2003 , H01L29/7322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/1146 , H01L2224/11831 , H01L2224/11845 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/27831 , H01L2224/27845 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/8001 , H01L2224/80013 , H01L2224/80123 , H01L2224/80129 , H01L2224/8013 , H01L2224/80132 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06551 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H05K1/14 , H05K2201/047 , H05K2201/10515 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031
Abstract: 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347243A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110213254.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/047 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L25/00 , H01L23/34
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
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公开(公告)号：CN116195049A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202080105389.X
申请日：2020-10-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 金谷康
IPC: H01L23/02
Abstract: 本公开所涉及的半导体装置(100)具备半导体芯片(130)，半导体芯片(130)形成有与晶体管(13)导通并具有比接合线(4)大的截面积的突起状端子(14)以及覆盖朝向其周围的侧面的具有绝缘性的防短路用侧壁(15)。半导体芯片(130)通过具有导电性的接合材料(6)接合于金属板(2)的上表面(3)。形成于与金属板(2)的上表面(3)接合的电路基板(30)的导体图案(34a)和突起状端子(14)的突出方向的端部通过接合线(4)连接。
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公开(公告)号：CN110476353A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780088822.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明涉及的二极管线性化电路呈在RF信号路径和接地之间相对于RF信号路径经由电容器而并联地装配了线性化电路芯部的结构，因此在使具有不同的增益扩展特性的多个线性化电路芯部选择性地动作时，不需要使用了FET等的开关。并且，在RF信号输入输出端子之间，也不需要用于阻断直流的串联的电容器。因此，能够扩展可通过二极管线性化电路补偿的增益的范围。并且，能够降低二极管线性化电路断开时的RF信号路径的插入损耗，并且能够扩展动作时的增益扩展的范围。另外，不使用开关，或者需要的电容器的元件个数少，因此电路尺寸也小。
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公开(公告)号：CN106059518B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610236702.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
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公开(公告)号：CN105099376B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510266552.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 金谷康
CPC classification number: H03F1/3258 , H03F1/32 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/602 , H03F3/68 , H03F2200/387 , H03F2201/3215
Abstract: 本发明得到一种能够降低成本和插入损耗并提高成品率的线性化电路。分支电路(1)具有输入传输线路(1a)和输出传输线路(1b、1c)。输入传输线路(1a)连接在输入端子(IN)和分支点之间。输出传输线路(1b)连接在分支点和输出端子(OUT1)之间，输出传输线路(1c)连接在分支点和输出端子(OUT2)之间。二极管(2)的正极与分支点连接，负极接地。偏置电路(3)对二极管(2)进行偏置。
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