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公开(公告)号:CN107210228B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201580075517.X
申请日:2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置,其具有:大于或等于一根栅极指(20),其设置于半导体基板(1)之上的有源区域;以及源极指(30)、漏极指(40),它们设置于所述有源区域,隔着栅极指(20)而交替地配置,该半导体装置具有末端电路(60),该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗,在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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公开(公告)号:CN107210228A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201580075517.X
申请日:2015-06-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/812
Abstract: 一种半导体装置,其具有:大于或等于一根栅极指(20),其设置于半导体基板(1)之上的有源区域;以及源极指(30)、漏极指(40),它们设置于所述有源区域,隔着栅极指(20)而交替地配置,该半导体装置具有末端电路(60),该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗,在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
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