公开(公告)号：CN101814421B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

公开(公告)号：CN101398624B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810165695.3

申请日：2008-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  金学元 ,  金然柱 ,  崔成云 ,  金贤友 ,  罗惠燮 ,  金京泽

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/004 ,  C07C321/12 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1-C10烷基，X为与S+形成环的C3-C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5-S+A-中的至少一种代替，其中R5为C1-C10烷基，且A-为平衡离子。(式1)，(式2)。

公开(公告)号：CN102347216A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110212094.5

申请日：2011-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯来 ,  姜律 ,  尹景煥 ,  金亨姬 ,  韩索拉 ,  朴泰會

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 本发明提供了使用酸扩散制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一区域上形成抗蚀剂图案；使包括酸源的除渣溶液接触抗蚀剂图案和基板的第二区域；通过使用从除渣溶液中的酸源获得的酸来分解保留在基板的第二区域上的抗蚀剂残留物；以及从基板去除分解的抗蚀剂残留物和除渣溶液。

公开(公告)号：CN101086961B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200710104108.5

申请日：2007-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  李昔柱 ,  姜律 ,  赵汉九 ,  姜昌珍 ,  柳在玉 ,  朴省赞

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。

公开(公告)号：CN101814421A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

公开(公告)号：CN101572226A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910134899.5

申请日：2009-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  李昔柱 ,  李重泫 ,  李时镛

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

公开(公告)号：CN1515961A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02152489.0

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东恒 ,  朴春根

IPC: G03F7/027 ,  C08F222/06

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。