公开(公告)号：CN101814421B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

公开(公告)号：CN101814421A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

公开(公告)号：CN1684229A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064908.X

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  金贤友 ,  尹辰永 ,  畑光宏 ,  苏布拉马尼安·科拉克·马亚 ,  禹相均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了包括自组装分子层的掩膜图案、形成它的方法和制造半导体器件的方法。掩膜图案包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。为形成掩膜图案，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开孔的抗蚀图案以暴露底层至第一宽度。然后，在抗蚀图案的表面上选择性地形成自组装分子层以暴露底层至比第一宽度小的第二宽度。使用抗蚀图案和自组装分子层作为蚀刻掩膜蚀刻底层，从而得到精细图案。