公开(公告)号：CN101814421B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。

公开(公告)号：CN102347216A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110212094.5

申请日：2011-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯来 ,  姜律 ,  尹景煥 ,  金亨姬 ,  韩索拉 ,  朴泰會

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 本发明提供了使用酸扩散制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一区域上形成抗蚀剂图案；使包括酸源的除渣溶液接触抗蚀剂图案和基板的第二区域；通过使用从除渣溶液中的酸源获得的酸来分解保留在基板的第二区域上的抗蚀剂残留物；以及从基板去除分解的抗蚀剂残留物和除渣溶液。

公开(公告)号：CN101814421A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910258448.2

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨姬 ,  姜律 ,  崔成云 ,  尹辰永

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。