公开(公告)号：CN102347216A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110212094.5

申请日：2011-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯来 ,  姜律 ,  尹景煥 ,  金亨姬 ,  韩索拉 ,  朴泰會

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

Abstract: 本发明提供了使用酸扩散制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一区域上形成抗蚀剂图案；使包括酸源的除渣溶液接触抗蚀剂图案和基板的第二区域；通过使用从除渣溶液中的酸源获得的酸来分解保留在基板的第二区域上的抗蚀剂残留物；以及从基板去除分解的抗蚀剂残留物和除渣溶液。