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    半导体晶片用热处理夹具
    11.
    发明公开
    半导体晶片用热处理夹具 失效

    公开(公告)号：CN1771588A

    公开(公告)日：2006-05-10

    申请号：CN200480009308.7

    申请日：2004-03-15

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 足立尚志

    IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/67306 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

    Abstract: 一种半导体晶片用热处理夹具，是在其上面搭载半导体晶片并进行热处理的圆盘形状的热处理夹具，通过使其厚度在1.0mm以上、100mm以下，且使与所述晶片接触的面的表面粗糙度(Ra值)为0.1μm以上，100μm以下，对在同心圆方向以及直径方向其平坦度进行规定，或者代替所述平坦度，通过多点平面度测定对在各个区域的最大高度进行测定，使与所求出的假想平均值面的差值在50μm以下，从而能够降低因半导体晶片与热处理夹具的粘合而产生的划伤。这样，即使在对自重应力较大的半导体晶片进行热处理的情况下，也能够有效防止划伤的产生，能广泛应用作为稳定的半导体基板用的热处理夹具。

    IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法
    12.
    发明授权
    IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101054721B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200710084192.9

    申请日：2007-02-17

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 小野敏昭 ,  梅野繁 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

    IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/208

    CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/261

    Abstract: IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。

    硅片
    13.
    发明授权
    硅片 失效

    公开(公告)号：CN101504944B

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：CN200910003998.X

    申请日：2004-03-30

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

    IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

    CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

    Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

    半导体晶片用热处理夹具
    14.
    发明授权
    半导体晶片用热处理夹具 失效

    公开(公告)号：CN100517612C

    公开(公告)日：2009-07-22

    申请号：CN200480009308.7

    申请日：2004-03-15

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 足立尚志

    IPC: H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/67306 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

    Abstract: 一种半导体晶片用热处理夹具，是在其上面搭载半导体晶片并进行热处理的圆盘形状的热处理夹具，通过使其厚度在1.0mm以上、100mm以下，且使与所述晶片接触的面的表面粗糙度(Ra值)为0.1μm以上，100μm以下，对在同心圆方向以及直径方向其平坦度进行规定，或者代替所述平坦度，通过多点平面度测定对在各个区域的最大高度进行测定，使与所求出的假想平均值面的差值在50μm以下，从而能够降低因半导体晶片与热处理夹具的粘合而产生的划伤。这样，即使在对自重应力较大的半导体晶片进行热处理的情况下，也能够有效防止划伤的产生，能广泛应用作为稳定的半导体基板用的热处理夹具。

    SIMOX基板的制造方法
    15.
    发明授权
    SIMOX基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100501922C

    公开(公告)日：2009-06-17

    申请号：CN200580024663.6

    申请日：2005-07-19

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 足立尚志 ,  小松幸夫

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/31662

    Abstract: 本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×105cm-3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。

    硅晶片的制造方法
    19.
    发明公开
    硅晶片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN1917151A

    公开(公告)日：2007-02-21

    申请号：CN200610159243.5

    申请日：2006-08-15

    Applicant: 株式会社上睦可

    Inventor： 古屋田荣 ,  桥井友裕 ,  村山克彦 ,  高石和成 ,  加藤健夫

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  C23F1/24

    CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

    Abstract: 本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，按顺序包括：利用供给喷嘴向将硅单晶锭切片后得到的单枚薄圆板状的硅晶片的表面供给蚀刻液，通过使上述晶片旋转，将上述供给的蚀刻液扩大到整个晶片表面上进行蚀刻的单片式蚀刻工序(12)；和研磨上述硅晶片的表面的研磨工序(14)，在单片式蚀刻中使用的蚀刻液是酸蚀刻液，上述酸蚀刻液由氢氟酸、硝酸和磷酸构成，是上述氢氟酸、硝酸和磷酸按重量百分比为氢氟酸∶硝酸∶磷酸＝0.5～40％∶5～50％∶5～70％的混合比例含有的水溶液。

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