公开(公告)号：CN100472001C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480011173.8

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 宝来正隆 ,  杉村涉 ,  小野敏昭 ,  田中忠美

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 在本发明中，在使用在晶体中心部的温度梯度Gc与在晶体外周部的温度梯度Ge相同或比之大的热区结构，采用CZ法生长出无原生缺陷的硅单晶时，向拉晶炉内供给含氢的惰性气体，且在环状氧化诱生层错发生区域在晶体中心部消灭的临界速度附近进行拉晶。根据本发明，环状氧化诱生层错区域在晶体中心部消灭的临界速度提高，原生状态下在晶体径向整个区域中不存在位错簇及空洞缺陷的无原生缺陷的单晶，通过比过去高的速度的拉晶而能生长出。

公开(公告)号：CN1780940A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200480011173.8

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 宝来正隆 ,  杉村涉 ,  小野敏昭 ,  田中忠美

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 在本发明中，在使用在晶体中心部的温度梯度Gc与在晶体外周部的温度梯度Ge相同或比之大的热区结构，采用CZ法生长出无Grown－in缺陷的硅单晶时，向拉晶炉内供给含氢的惰性气体，且在环状OSF发生区域在晶体中心部消灭的临界速度附近进行拉晶。根据本发明，环状OSF区域在晶体中心部消灭的临界速度提高，原生状态下在晶体径向整个区域中不存在位错簇及COP的无Grown－in缺陷的单晶，通过比过去高的速度的拉晶而能生长出。