-
公开(公告)号：CN102244102B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110177163.3
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度，降低了芯片功耗。
-
公开(公告)号：CN103035533A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210537421.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了混合物薄膜的半导体衬底进行加热退火，形成金属硅化物和超浅结；去除半导体衬底表面剩余的混合物薄膜，形成超浅结半导体场效应晶体管。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜，并进行加热退火，同步形成超浅结和超薄金属硅化物，可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
-
公开(公告)号：CN103000674A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210544375.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28
Abstract: 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。
-
公开(公告)号：CN101789439B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010111273.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/28 , H01L23/532 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器阵列，同时，本发明以聚合物材料构成阻变存储器中的p-n结结构和存储单元，避免了高温，因此可以在柔性电路中集成。本发明专利具有实现工艺简单、成本低廉、不需高温退火等优点，并且可以适用于打印电路。
-
公开(公告)号：CN102832199A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210362921.3
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/486 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效，延长扩散阻挡层的寿命。其次，可以降低互连电路的有效介电常数值，进而使得互连电路整体的RC延迟下降。再次，由于金属与铜具有良好的粘附性和接触，可以在金属表面直接电镀铜而不需要先淀积一层铜籽晶，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗扩散阻挡层的制造中得到应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832198A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210360376.4
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为铜互连结构及其制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Co-Ru层材料作为铜互连结构的籽晶层。本发明用等离子原子层淀积方法在铜互连的沟槽和通孔结构中来生长的Co-Ru材料籽晶层，淀积的薄膜能够具有良好的粘附性。此外，通过调节Co-Ru材料籽晶层中的Co和Ru比例，可以获得较佳的粘附特性。本发明的优点是可以提电镀铜与籽晶层的粘附特性性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm及其以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。
-
公开(公告)号：CN102779853A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210290113.0
申请日：2012-08-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层，然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管，所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流，而且，本发明所提出的制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管的制造方法与传统的CMOS工艺兼容，工艺过程简单，制造成本低。
-
公开(公告)号：CN102054690B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010552635.4
申请日：2010-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L21/76275 , H01L29/41741
Abstract: 本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。
-
公开(公告)号：CN102655176A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210144846.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
-
公开(公告)号：CN101777660B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010105579.X
申请日：2010-02-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/527 , Y02P70/56
Abstract: 本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳和水，并且通过微生物转移氧化还原反应中的电子，从而实现化学能向电能的转变，同时，该微生物燃料电池可以制作微型电池，使其能够安置在人体体内，利用人体自身产生的化学物质进行发电。本发明具有成本低、寿命长、结构简单和作为体内电子装置供电设备无需更换供电电池的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
918
records
(took 0.027 seconds)
