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公开(公告)号：CN210379112U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921002454.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构，包括半导体基底半导体基底、设置于半导体基底下表面的背栅电极，层叠设置在半导体基底上表面的介电层、石墨稀透明电极、过渡金属硫化物二维材料、铁磁金属纳米团簇异质结构、隧穿层、磁性参考层、以及顶电极；所述磁性参考层具有垂直于表面且被钉扎的磁化方向，所述该隧穿磁电阻结构可通过施加门电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控铁磁金属纳米团簇的磁各向异性，使得从顶电极流经磁性参考层的自旋极化电流在隧穿注入至过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构过程中产生不同的高低磁阻态。
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公开(公告)号：CN210379098U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201920995759.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通过电场调控自旋注入层的磁矩取向在平内与垂直方向上快速翻转，可分别在发光二极管的侧向与正向产生具有自旋极化的旋光。
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公开(公告)号：CN211719593U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202020154261.X
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列，包括衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p型层；其阵列单元包括形成于n型GaN层的六边形微纳米孔，六边形微纳米孔的侧壁包括第一半极性面和第二半极性面，底面形成下极性面，InGaN/GaN多量子阱形成于第一半极性面、第二半极性面和下极性面上，p型层覆盖InGaN/GaN多量子阱。每个阵列单元包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本实用新型可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的三色LED阵列可覆盖Micro至Nano尺寸级别，制成超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210837766U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201920995707.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种电控二维自旋过滤器件，包括导电基片、与导电基片下表面连接的背栅电极、层叠设置在导电基片上表面的介电层、XN(X＝V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料异质结构层、与过渡金属硫化物二维材料连接的源、漏电极，以及与过渡金属硫化物二维材料连接的第一检测电极与第二检测电极；该器件通过在与过渡金属硫化物二维材料连接的源、漏电极之间施加一个范围为‑10V～+10V的电压，可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流，从而实现自旋过滤；该自旋极化的电流的自旋极化率可通过背栅电压调控，所述背栅电压是通过在背栅电极和与过渡金属硫化物二维材料连接的源电极之间施加一个范围为‑100V～+100V的电压。
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公开(公告)号：CN208062085U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820271210.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本实用新型提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN217745104U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202221295742.8
申请日：2022-05-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型涉及一种手持式深紫外面光源消杀灯及消杀装置，装置呈手持条形扫描灯状，包含：采用均匀面光源设计的深紫外LED阵列，阵列上方嵌套铝反射组件；反射组件上方置有石英玻璃片，可有效保护装置免受污染；阵列基板下部紧贴水冷散热模块，水冷管道通过两个接口连接水冷箱作为散热器；装置外部封装呈条形灯状，包裹住内部LED阵列、反射组件与散热模块；LED阵列通过外接电源供电。本实用新型中的反射组件内置反射凹槽，对应于每一颗LED芯片，可改善深紫外LED的朗伯出光角度，得到近平行深紫外光。装置采用手持式设计，可在保证高效消杀的前提下提升便携性。
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公开(公告)号：CN210866242U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201920997044.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种柔性二维磁存储阵列，包括柔性基片以及设置于柔性基片上表面的任意数量的以阵列形式排布的磁存储单元；每个磁存储单元包含层叠设置于柔性基片上表面的XN(X＝V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料、表面掺杂层、BN二维材料、分别设置于BN二维材料上表面左右两端的第一注入电极与第二注入电极、以及分别设置于BN二维材料上表面前后两端的第一检测电极与第二检测电极；每个磁存储单元可独立工作，通过在第一注入电极与第二注入电极之间施加一个范围为‑5V～+5V的电压，可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流，通过对柔性基片施加适当应力可调控自旋极化的电流的自旋极化率，从而实现磁存储。
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公开(公告)号：CN208722887U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201820923579.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III-VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。
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公开(公告)号：CN210866183U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201920997049.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的两列电极对、BN二维材料钝化层，所述两列电极对由置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的若干对位置一一对应的电极对等间距排列构成；所述自旋电子器件阵列可通过施加背栅电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控异质结构的磁各向异性及费米能级附近电子态的自旋极化方向，从而在电极对之间电压的作用下产生极化方向独立可控的自旋电流。
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公开(公告)号：CN210605251U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201920995783.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件，包括电致伸缩基片、与电致伸缩基片底面连接的第一和第二导电电极、层叠设置在电致伸缩基片上表面的增强光吸收层、第一透明导电电极、III-VI族硫属化物二维材料、BN二维材料绝缘层、以及第二透明导电电极；该器件在圆偏光激发下可产生具有可控圆偏振极化率的旋光效应，通过在与电致伸缩基片连接的第一和第二导电电极之间施加适当电压可调控该旋光的圆偏振极化率，且通过在第一和第二透明导明电极之间施加适当电压可使该旋光波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调。
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