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公开(公告)号：CN210379098U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201920995759.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通过电场调控自旋注入层的磁矩取向在平内与垂直方向上快速翻转，可分别在发光二极管的侧向与正向产生具有自旋极化的旋光。
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