-
公开(公告)号：CN116936366A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210359418.6
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋二维垂直鳍(Fin)阵列及其晶圆级批量化制备方法。该方法，包括如下步骤：以LaAlO3(100),LaAlO3(110),和SrTiO3(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氧气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直鳍阵列晶圆。该方法经济、简单易行，所得晶圆级二维Bi2O2Se垂直鳍阵具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN116620908A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210134284.8
申请日：2022-02-14
Abstract: 本申请提供一种收放卷装置和等离子体增强化学气相沉积系统及石墨烯薄膜的制备方法。收放卷装置包括放卷轴、收卷轴、底座和电机。放卷轴用于设置衬底；收卷轴与放卷轴平行设置并收卷石墨烯薄膜和衬底；底座设置在放卷轴和收卷轴的下方并支撑放卷轴和收卷轴；电机与收卷轴连接，并为收卷轴提供动力。通过以上设计，可制备宽幅较大的石墨烯薄膜，解决目前大尺寸石墨烯薄膜制备受限的问题。
-
公开(公告)号：CN113445030B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010216388.4
申请日：2020-03-25
Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。
-
公开(公告)号：CN111477265B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910062668.1
申请日：2019-01-23
IPC: G16B5/00
Abstract: 本发明公开了一种功能化石墨烯薄膜在冷冻电镜三维重构中的应用。所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜能够用于冷冻电子显微镜三维重构中，所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜由生物活性配体连接于石墨烯薄膜上形成，生物活性配体为Ni‑氨三乙酸配体；其中生物活性配体功能化石墨烯薄膜作为或用于制备冷冻电镜的支撑膜；生物活性配体功能化石墨烯薄膜特异性捕获带His标签的蛋白或生物大分子。本发明生物活性配体功能化石墨烯薄膜可以通过在未来优化中直接定位或捕获细胞裂解物中的目标生物分子，将生物分子纯化和冷冻电镜样品制备结合到一个步骤中是可预期的。
-
公开(公告)号：CN112850696B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112299399B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910680165.0
申请日：2019-07-26
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
-
公开(公告)号：CN114408905A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210107288.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明公开了基于自组装单分子层实现自支撑二维材料可控制备及转移方法。该方法利用表面活性剂吸附在二维材料表面形成单分子层组装结构，以降低表面能，防止二维材料在气液界面发生卷曲和破损，从而实现英寸级、层数可控的自支撑二维材料的制备。该方法制备的自支撑石墨烯可转移至任意基底上，转移至多孔基底上的悬空石墨烯表面洁净、完整度高达99.5％，并可实现悬空石墨烯的批量制备；转移至硅片上的石墨烯表面无污染，相比于传统高分子辅助转移法，洁净度显著提升。本专利的自支撑石墨烯制备及转移方法工艺简单、具有普适性，适用于自支撑氮化硼的制备和转移，在高分辨电镜成像、热电子发光电子器件、同位素分离膜等领域具有重要应用前景。
-
公开(公告)号：CN113990953A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111247985.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。
-
公开(公告)号：CN113667960A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010400896.8
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明提供一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法，该制备方法包括：将基底置于含第一氧化气体的气氛中进行退火；将退火后的所述基底置于含还原气体、碳源以及第二氧化气体的反应混合气中，升温至生长温度进行石墨烯生长，得到洁净双层及少层石墨烯薄膜，其中所述还原气体、所述碳源以及所述第二氧化气体的流量比为1～2000:0.1～20:0.1～500。本发明的制备方法快速、简便、适于制备大面积双层及少层洁净石墨烯薄膜，提高了石墨烯薄膜的质量，同时成本低廉，具有良好的工业化前景。
-
公开(公告)号：CN110607517B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
198
records
(took 0.023 seconds)
