公开(公告)号：CN114141813A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111281360.X

申请日：2021-11-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  黎明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L27/16 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。

公开(公告)号：CN114141812A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111255383.3

申请日：2021-10-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  蔡其峰 ,  刘硕 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  黎明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L27/16 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的超高精度温度‑辐射热传感器及信号去耦合方法。本发明采用高迁移率半导体Bi2O2Se作为有效层制备了基于Bi2O2Se的场效应晶体管式器件，实现了高灵敏度、高分辨率的多模态温度‑辐射热传感器，其制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，可以实现大规模集成。利用该多模态温度‑辐射热传感器对于温度信号和光信号的响应频率不同，本发明还提出了一种随机共振去耦合的方法用于多模态传感输出信号的区分，较传统滤波算法更为准确，能够实现光热信号的高精度采集与解析。

公开(公告)号：CN114093438A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111263213.X

申请日：2021-10-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  黎明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: G16C60/00 ,  G06N3/08 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。

公开(公告)号：CN113964019A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111186030.2

申请日：2021-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用。所述基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向两端器件是通过选择性腐蚀硅/高k衬底上的Bi2O2Se层状二维材料形成台阶，并在台阶上下分别制备顶电极和底电极而获得的。利用该两端器件成功测试了Bi2O2Se二维材料垂直方向上的电流输运特性，并做变温测试和模型拟合，得到垂直方向上Se空位的移动以及Poole‑Frenkel发射电流机制。

公开(公告)号：CN114093438B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111263213.X

申请日：2021-10-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  黎明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。

公开(公告)号：CN113990953B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111247985.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。

公开(公告)号：CN113990953A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111247985.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。