公开(公告)号：CN113445030B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN113445030A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。