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公开(公告)号：CN119421594B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510020563.5
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H10K30/65 , H10K71/00 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800 nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8 eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。
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公开(公告)号：CN119451249A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510028149.9
申请日：2025-01-08
Applicant: 北京大学
IPC: H10F30/282 , H10F77/12 , G06V10/147 , G06V10/82 , G06V20/54 , G06V20/40 , G06F18/25 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种视听融合神经元器件及视听融合的目标探测方法，属于智能识别技术领域。所述视听融合神经元器件是以铁电半导体铋氧硒为沟道层的背栅结构的光电探测器，视觉信息以光功率的形式照射到沟道上，产生光电导效应；听觉信息转换为电压信号传输到栅电极上引发沟道的铁电极化，极化方向有效调控了沟道电导，进一步调控沟道的光生载流子产生以及传输行为，从而实现非线性的视听融合。基于该视听融合的超加性、反有效性以及时空融合原则，可以有效进行可靠性增强的视听融合目标识别，特别是连续模糊目标的探测，包括但不限于车辆方位探测及车辆类型识别。
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公开(公告)号：CN117743927B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311759196.8
申请日：2023-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: G06F18/241 , G06F18/214 , G06F18/25 , G06F18/213
Abstract: 本发明公开一种基于多模态传感输入库网络的时序信号分析方法，属于感存算一体与智能识别技术领域。该方法利用多模态传感输入库网络与多个被不同温度偏置下的同类型多模态传感融合突触器件的非线性响应相对应；输入的时序信号以光信号的形式分别施加于多模态传感融合突触器件，随着光照的施加产生光生电流响应，以器件沟道电流值作为多模态传感输入库网络中的库节点状态，当光照与温度同时改变时，沟道电流随着两个模态的输入实时变化，生成对光热信号的融合特征的表达，经过线性权重加权，输出拟合的时序信号。采用本发明成功模拟出了果蝇在周期性光照、周期性温度、以及二者共存时的生物节律，优于同规模多层感知机与递归神经网络的拟合表现。
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公开(公告)号：CN117096206A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311340445.X
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于铋氧硒‑钙钛矿异质结的光感算一体器件及其制备方法，该器件包括衬底和栅介质层，位于栅介质层上排布有异质结光传感器阵列，所述异质结光传感器包括上下叠加的钙钛矿吸光层和铋氧硒沟道层，铋氧硒沟道层两侧为源漏电极，所述异质结光传感器为typeⅠ型能带结构，在负栅压下，异质结光传感器为pn型能带，在正栅压下，异质结光传感器为nn+能带，所述异质结光传感器的栅压依赖的正负光响应对应于神经网络计算中权重，实现感算一体。利用本发明可以实现卷积操作，可实现图片预处理功能和目标检测功能，具有超高光灵敏度，可有效提高弱光环境（低至0.1μW/cm2）下图像边缘计算功能。
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公开(公告)号：CN114141813A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111281360.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119421594A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510020563.5
申请日：2025-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H10K30/65 , H10K71/00 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开一种原位自氧化光栅异质突触晶体管及其制备方法和应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。本发明包括底栅衬底，在底栅衬底上设有底栅介质层和位于底栅介质层上的异质突触结构，异质突触结构包括铋氧硒沟道层、亚硒酸氧铋势垒阻挡层和钙钛矿吸光层，铋氧硒沟道层两侧设有源、漏电极，其中钙钛矿吸光层与亚硒酸氧铋势垒阻挡层的价带能级差小于其导带能级差，使空穴的隧穿势垒小于电子的隧穿势垒，在可见光下钙钛矿中的光生空穴隧穿到铋氧硒沟道中，产生光信号的负响应。而在红外光下由于钙钛矿的吸光范围截至于800 nm，光生载流子产生于窄带隙（0.8 eV）的铋氧硒沟道中，增加沟道中的电子浓度，产生光信号的正响应。
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公开(公告)号：CN114093438B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN113990953B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111247985.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。
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公开(公告)号：CN113990953A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111247985.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。
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公开(公告)号：CN119486290B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510027717.3
申请日：2025-01-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。所述光电探测器采用层状二维半导体铋氧硒作为沟道层，通过界面酸刻蚀法调控硒空位位置，使其与电子传输层分离，实现光响应度的自调制效应，并实现宽范围的光响应度幅度调制、光响应度变化时间常数调制。采用该光电探测器作为动态片上光学神经网络加速器可有效进行动态权重调节，用于连续变化的物体特征识别，包括旋转、移动、退化条件下物体的识别与探测任务。
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