单晶铜箔及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110195251A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910598448.0

    申请日:2019-07-04

    Abstract: 本发明提供单晶铜箔及其制备方法,该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理,使铜箔表面完全氧化;将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理,得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底,实现石墨烯的生长,避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题,以提高石墨烯性能;也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底,以应用于其他场合。本发明的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理,具有良好的工业化前景。

    一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113667960A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202010400896.8

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 本发明提供一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法,该制备方法包括:将基底置于含第一氧化气体的气氛中进行退火;将退火后的所述基底置于含还原气体、碳源以及第二氧化气体的反应混合气中,升温至生长温度进行石墨烯生长,得到洁净双层及少层石墨烯薄膜,其中所述还原气体、所述碳源以及所述第二氧化气体的流量比为1~2000:0.1~20:0.1~500。本发明的制备方法快速、简便、适于制备大面积双层及少层洁净石墨烯薄膜,提高了石墨烯薄膜的质量,同时成本低廉,具有良好的工业化前景。

    一种用于制备单晶化铜箔的载具

    公开(公告)号:CN210388943U

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201921241233.5

    申请日:2019-08-02

    Abstract: 本实用新型提供了一种用于制备单晶化铜箔的载具,包括多个用于承载待处理的铜箔的支撑板以及用于支撑支撑板的板架,板架包括底板和侧板,底板的上表面设有多个限位部,多个支撑板的一端分别连接于多个限位部。多个支撑板的另一端向侧板方向倾斜,且距离侧板最近的支撑板抵接于侧板。多个支撑板层叠设置,且相邻两个支撑板之间设有隔离块,用以限定两个相邻支撑板之间的距离为一设定距离。

    一种载物台
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211014834U

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201922398529.4

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本实用新型提供了一种载物台,应用于一显微镜,载物台包括样品托、盖板和导向结构,样品托包括一用于放置样品的工作面,工作面具有多个下凹部,多个下凹部用于容纳多个样品;盖板可拆卸地覆盖于样品托的工作面,盖板包括多个观测孔,多个观测孔与多个下凹部一一对应,每个观测孔的面积小于与其对应的下凹部的面积;导向结构设于样品托和盖板。操作人员在进行样品观测时,一方面避免了样品的脱落,另一方面,由于样品放置于下凹部中而没有额外引入导电胶或其他粘性剂,实现了无损洁净观测。

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