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公开(公告)号:CN110195251A
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201910598448.0
申请日:2019-07-04
Abstract: 本发明提供单晶铜箔及其制备方法,该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理,使铜箔表面完全氧化;将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理,得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底,实现石墨烯的生长,避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题,以提高石墨烯性能;也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底,以应用于其他场合。本发明的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理,具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号:CN113667960A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202010400896.8
申请日:2020-05-13
Abstract: 本发明提供一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法,该制备方法包括:将基底置于含第一氧化气体的气氛中进行退火;将退火后的所述基底置于含还原气体、碳源以及第二氧化气体的反应混合气中,升温至生长温度进行石墨烯生长,得到洁净双层及少层石墨烯薄膜,其中所述还原气体、所述碳源以及所述第二氧化气体的流量比为1~2000:0.1~20:0.1~500。本发明的制备方法快速、简便、适于制备大面积双层及少层洁净石墨烯薄膜,提高了石墨烯薄膜的质量,同时成本低廉,具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号:CN113916622A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202010655942.9
申请日:2020-07-09
Abstract: 本发明提供了一种评估石墨烯薄膜洁净度的方法,包括通过水与石墨烯薄膜的接触角的大小来判断所述石墨烯薄膜表面的洁净度,所述洁净度是指所述石墨烯薄膜表面的洁净面积占所述石墨烯薄膜表面面积的比例。本发明一实施方式的方法,可快速、无损、大面积评估石墨烯薄膜的洁净度。
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公开(公告)号:CN210572024U
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201921124479.4
申请日:2019-07-16
Abstract: 本实用新型一实施方式提供了一种评估石墨烯洁净度的装置,包括依次排布的预热区、负载区以及成像区;所述预热区包括第一加热器,所述预热区用以对待评估的石墨烯进行预热;所述负载区包括熏蒸部件,所述负载区用以将熏蒸样品负载于所述石墨烯的表面;所述成像区用以为负载有熏蒸样品的所述石墨烯采集图像。本实用新型一实施方式的评估石墨烯洁净度的装置,可实现石墨烯洁净度的无损、快速评估。
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公开(公告)号:CN210388943U
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201921241233.5
申请日:2019-08-02
IPC: B25B11/00
Abstract: 本实用新型提供了一种用于制备单晶化铜箔的载具,包括多个用于承载待处理的铜箔的支撑板以及用于支撑支撑板的板架,板架包括底板和侧板,底板的上表面设有多个限位部,多个支撑板的一端分别连接于多个限位部。多个支撑板的另一端向侧板方向倾斜,且距离侧板最近的支撑板抵接于侧板。多个支撑板层叠设置,且相邻两个支撑板之间设有隔离块,用以限定两个相邻支撑板之间的距离为一设定距离。
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公开(公告)号:CN211311578U
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201921241279.7
申请日:2019-08-02
IPC: C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本实用新型提供一种用于批量化生长石墨烯薄膜的载具,包括用于承载生长衬底的多个支撑板和用于支撑多个支撑板的板架,板架呈空心方柱结构且其水平设置,板架包括两个相对设置的侧部,两个侧部的相互面对的一面开有多个相互独立的条形槽,两个侧部上的条形槽一一对应,支撑板能够沿着两个对应的条形槽插入板架内。
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公开(公告)号:CN211014834U
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201922398529.4
申请日:2019-12-27
IPC: G02B21/34
Abstract: 本实用新型提供了一种载物台,应用于一显微镜,载物台包括样品托、盖板和导向结构,样品托包括一用于放置样品的工作面,工作面具有多个下凹部,多个下凹部用于容纳多个样品;盖板可拆卸地覆盖于样品托的工作面,盖板包括多个观测孔,多个观测孔与多个下凹部一一对应,每个观测孔的面积小于与其对应的下凹部的面积;导向结构设于样品托和盖板。操作人员在进行样品观测时,一方面避免了样品的脱落,另一方面,由于样品放置于下凹部中而没有额外引入导电胶或其他粘性剂,实现了无损洁净观测。
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