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公开(公告)号：CN106011783A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610532362.4
申请日：2016-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L29/24 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN114141813A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111281360.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。
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公开(公告)号：CN114093438A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN113964019A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111186030.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用。所述基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向两端器件是通过选择性腐蚀硅/高k衬底上的Bi2O2Se层状二维材料形成台阶，并在台阶上下分别制备顶电极和底电极而获得的。利用该两端器件成功测试了Bi2O2Se二维材料垂直方向上的电流输运特性，并做变温测试和模型拟合，得到垂直方向上Se空位的移动以及Poole‑Frenkel发射电流机制。
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公开(公告)号：CN108039403B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201711315655.8
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜。本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi2O2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi2O2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141812A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111255383.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的超高精度温度‑辐射热传感器及信号去耦合方法。本发明采用高迁移率半导体Bi2O2Se作为有效层制备了基于Bi2O2Se的场效应晶体管式器件，实现了高灵敏度、高分辨率的多模态温度‑辐射热传感器，其制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，可以实现大规模集成。利用该多模态温度‑辐射热传感器对于温度信号和光信号的响应频率不同，本发明还提出了一种随机共振去耦合的方法用于多模态传感输出信号的区分，较传统滤波算法更为准确，能够实现光热信号的高精度采集与解析。
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公开(公告)号：CN108930065A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710372702.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5-2)：(0.5-4)：4组成的混合液。本发明的化学刻蚀方法条件温和、简单经济，将其与光刻或电子束曝光技术结合可以实现对二维Bi2O2Se晶体特定图案化的选区化学刻蚀，构筑阵列化图案结构，在集成化器件领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN106011783B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610532362.4
申请日：2016-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN120035160A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510011666.5
申请日：2025-01-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片，首先在加工基底上制备背电极；采用可控氧化工艺或原子层沉积工艺制备二维半导体‑外层栅介质环栅异质结；二维半导体‑外层栅介质环栅异质结包括二维半导体沟道和外层栅介质；将二维半导体‑外层栅介质环栅异质结设置到背电极上；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第一区域上形成环栅电极，环栅电极和背电极对第一区域的二维半导体‑外层栅介质环栅异质结全包覆；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第二区域和第三区域上刻蚀源极/漏极接触区域；在源极/漏极接触区域上原位形成源极/漏极。本发明的二维环栅晶体管符合埃米节点对于低功耗、高性能晶体管的要求。
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公开(公告)号：CN114093438B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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