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公开(公告)号：CN105512365B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510845557.X
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度的电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法基于可预测性集约模型，首先从鳍线条的电镜照片中提取出粗糙的栅边缘，计算它的自相关函数，然后利用计算公式得到鳍边缘粗糙度影响下的沟长涨落的均值和方差，嵌入到电路仿真软件的仿真网表中进行电路仿真，即可得到鳍边缘粗糙度所造成的电路性能参数。采用本发明可以很准确地得到的器件特性涨落影响，且所有参数都可以用TCAD蒙特卡洛仿真得到的结果进行基准调整。与传统方法相比，可以预测器件的亚阈斜率SS的涨落,以及亚阈斜率SS涨落和阈值电压Vth的相关性。
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公开(公告)号：CN105930628A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610478020.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5022 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种适用于EDA电路可靠性仿真的迭代外推预测BTI退化量的方法，该方法利用采用逐次迭代，在商用可靠性仿真预估软件中基于新的BTI模型外推预测特定时间之后退化量D的大小。本发明可以针对计算效率以及精度的折中，对迭代速度进行调整。因此，本发明提供了一个有效的方法解决了传统线性外推方法不适用于新的BTI模型的问题，且可以集成在可靠性仿真预估软件，实现对电子器件以及电路的可靠性仿真。
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公开(公告)号：CN104122493A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410357412.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法，包括：求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率；求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系；根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系，求出特征失效几率随VG的变化关系；取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响，而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。
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公开(公告)号：CN104122491A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410356635.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件寿命终点时NBTI动态涨落的方法，包括：通过对半导体器件进行测试，获取半导体器件在寿命终点时的失效几率；通过对多个半导体器件进行测试，获取某工作电压VG对应的特征失效几率；求出不同VG下在寿命终点时阈值电压的退化量ΔVth的均值在不同器件之间的方差，以及ΔVth的方差在不同器件之间的方差，以及不同VG对应的特征失效几率；对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；这样，在半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落就可以表征出来。本发明提供了纳米尺度半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN102569262B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210006026.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , G01N21/65 , B82Y35/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公布了一种纳米线围栅器件散热特性的测试结构和测试方法。所述测试结构，包括源(1)、漏(2)、栅(3)，源(1)和漏(2)由一根悬空纳米线(5)相连；漏(2)端包含加热结构；所述结构采用的是围栅结构，即栅(3)将纳米线(5)包围起来；栅(3)的一端与一个接线板(4)相连。制作N个所述测试结构，并给每个测试结构加热，计算出每个结构的散热比，进而得出小尺寸器件时的散热的主要途径。本发明实现了对纳米尺度器件散热特性进行测试，对纳米尺度器件散热结构的设计和材料的选取给出了直接的指导，并且为今后的热阻网络和器件结构的设计带来了参考和帮助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569261B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210005993.2
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/544 , G01N21/65
Abstract: 本发明公布了一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法。结构包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分，源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5)；栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6)；该结构采用围栅结构，栅(3)的一端与一个接线板(4)相连。由源端开始一直到栅，每隔一段距离在纳米线上取一个点，采用高功率激光依次给纳米线上各个点加热，通过所测得的各个点的拉曼光谱的峰移，计算出每个点与源、漏端之间的温差，进而求得每个点的温度；计算由栅这条路径的总的热阻RTHG和从栅到漏端之间的纳米线热阻RTHD；比较RTHG和RTHD的大小，找出主要散热路径。根据测试结果可以对纳米尺度器件的散热途径进行改善，从而提高器件的特性。
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公开(公告)号：CN102381718B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010269030.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/18
CPC classification number: C23C22/34 , C23C22/73 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/28255 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/306 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用氟化铵溶液作为钝化剂对锗基器件进行表面预处理的方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明使用氟化铵水溶液对锗基器件进行表面预处理，可以减小界面态并且能够有效抑制自然氧化层的再次生成和锗基衬底材料的外扩散现象，还可以提高金属锗化物的热稳定性。本发明简单有效地改善了锗基器件的界面特性，有利于提升锗基晶体管的性能，在不增加工艺复杂性的情况下对锗基器件进行表面钝化预处理，非常有利于工艺的集成。
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公开(公告)号：CN102053114B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010528764.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/60
CPC classification number: H01L22/14 , G01R31/2621 , G01R31/2642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称，测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称，首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态，然后通过改变偏压设置依次循环进行下述步骤：1)将载流子通过源漏送入沟道产生反型层，且部分载流子被栅介质层陷阱限制；2)将反型层载流子分别引回源漏，但被栅介质层陷阱限制住的载流子不流回沟道；3)使栅介质层陷阱限制的载流子仅通过漏端流出；根据循环周期、器件沟道尺寸和源漏直流电流计算出栅介质层陷阱密度。该方法简便有效，设备简单，成本低廉，适用于无衬底引出器件，特别是围栅器件的栅介质层陷阱测试。
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公开(公告)号：CN102621182A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210106835.6
申请日：2012-04-12
Applicant: 北京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R1、R2，测得一维到三维边界热阻R1-3。本方法可以为纳米尺度器件散热结构的设计和关键路径的研究给出参数依据，并且为今后热阻网络和器件热效应的模拟有直接帮助。
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