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公开(公告)号：CN105512365A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510845557.X
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081
Abstract: 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度的电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法基于可预测性集约模型，首先从鳍线条的电镜照片中提取出粗糙的栅边缘，计算它的自相关函数，然后利用计算公式得到鳍边缘粗糙度影响下的沟长涨落的均值和方差，嵌入到电路仿真软件的仿真网表中进行电路仿真，即可得到鳍边缘粗糙度所造成的电路性能参数。采用本发明可以很准确地得到的器件特性涨落影响，且所有参数都可以用TCAD蒙特卡洛仿真得到的结果进行基准调整。与传统方法相比，可以预测器件的亚阈斜率SS的涨落,以及亚阈斜率SS涨落和阈值电压Vth的相关性。
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公开(公告)号：CN103884977B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410080903.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法，仅用一个半导体器件即可预测出其最好寿命、最坏寿命和平均寿命。测试时间大大缩短，可以实现快速测量；另外，由于仅用一个半导体器件，避免了传统方法中DDV的影响，同时可以研究寿命在半导体器件之间的涨落；另外，本发明提出了最好寿命、最坏寿命和平均寿命，也即考虑了CCV的影响；最后，静态涨落的影响也可以考虑进来，进而可以全面的评价半导体器件性能的涨落。
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公开(公告)号：CN104122492A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410357332.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压为VDmeasure时监测漏电流ID；将多次应力下得到的ΔVth等效转换到VGstress_1下的阈值电压退化；计算出任意工作电压VG下的等效应力时间；对VG进行遍历，得到失效几率随VG的变化关系；对应特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率，确定VDD的值。本发明仅用一个半导体器件并且可以快速有效地提取目标要求的失效几率下的10年寿命对应的VDD，提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN103884977A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410080903.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法，仅用一个半导体器件即可预测出其最好寿命、最坏寿命和平均寿命。测试时间大大缩短，可以实现快速测量；另外，由于仅用一个半导体器件，避免了传统方法中DDV的影响，同时可以研究寿命在半导体器件之间的涨落；另外，本发明提出了最好寿命、最坏寿命和平均寿命，也即考虑了CCV的影响；最后，静态涨落的影响也可以考虑进来，进而可以全面的评价半导体器件性能的涨落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104122491B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410356635.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件寿命终点时NBTI动态涨落的方法，包括：通过对半导体器件进行测试，获取半导体器件在寿命终点时的失效几率；通过对多个半导体器件进行测试，获取某工作电压VG对应的特征失效几率；求出不同VG下在寿命终点时阈值电压的退化量ΔVth的均值在不同器件之间的方差，以及ΔVth的方差在不同器件之间的方差，以及不同VG对应的特征失效几率；对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；这样，在半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落就可以表征出来。本发明提供了纳米尺度半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN105787473A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610183059.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06K9/00496 , G06K9/6218 , G06K9/6256 , G06K9/6297
Abstract: 本发明公布了一种提取带陷阱耦合效应的随机电报噪声信号的方法，基于隐马尔可夫模型，从实测的带有噪声的漏电流信号中，提取得到干净且带有耦合信息的随机电报噪声；包括：根据得到的漏电流信号，设定器件中的陷阱个数Ntrap的范围；针对每一个Ntrap值，进行一次完整的建模提取，得到对应的随机电报噪声信号RTN(t)；分别对每个Ntrap值计算得到对应的贝叶斯信息标准BIC；将贝叶斯信息标准BIC最小值所对应的Ntrap下的提取结果RTN(t)作为真实的随机电报噪声信号，完成依赖于隐马尔可夫模型的随机电报噪声信号的提取。本发明提取的RTN能够真实反映陷阱之间的相互影响，同时不会受态缺失的影响。
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公开(公告)号：CN105787473B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610183059.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提取带陷阱耦合效应的随机电报噪声信号的方法，基于隐马尔可夫模型，从实测的带有噪声的漏电流信号中，提取得到干净且带有耦合信息的随机电报噪声；包括：根据得到的漏电流信号，设定器件中的陷阱个数Ntrap的范围；针对每一个Ntrap值，进行一次完整的建模提取，得到对应的随机电报噪声信号RTN(t)；分别对每个Ntrap值计算得到对应的贝叶斯信息标准BIC；将贝叶斯信息标准BIC最小值所对应的Ntrap下的提取结果RTN(t)作为真实的随机电报噪声信号，完成依赖于隐马尔可夫模型的随机电报噪声信号的提取。本发明提取的RTN能够真实反映陷阱之间的相互影响，同时不会受态缺失的影响。
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公开(公告)号：CN104122493B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410357412.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法，包括：求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率；求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系；根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系，求出特征失效几率随VG的变化关系；取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响，而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。
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公开(公告)号：CN104122492B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410357332.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压为VDmeasure时监测漏电流ID；将多次应力下得到的ΔVth等效转换到VGstress_1下的阈值电压退化；计算出任意工作电压VG下的等效应力时间；对VG进行遍历，得到失效几率随VG的变化关系；对应特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率，确定VDD的值。本发明仅用一个半导体器件并且可以快速有效地提取目标要求的失效几率下的10年寿命对应的VDD，提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的预测方法。
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