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公开(公告)号：CN120033072A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510174887.4
申请日：2025-02-18
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种介电材料的掺杂改性方法，属于介电材料的改性技术领域。本发明在金属电极和铪基薄膜的界面体系中，在铪基薄膜下对其界面进行电负性较弱的金属元素掺杂改性。本发明以TiN为金属层形成金属电极，以HZO为半导体层，在其接触界面淀积一层掺杂元素层，通过ALD方法在金属电极上沉积电负性较弱的金属Ca作为掺杂元素层，在掺杂元素层上沉积HZO半导体层，并通过快速热退火处理使掺杂元素层与界面充分反应，最后采用溅射沉积方法在半导体层上沉积TiN金属层形成顶电极，从而实现界面掺杂改性。本发明在保持TiN/HZO界面体系在小尺寸下的优势的同时，通过界面掺杂进一步提升肖特基势垒，降低漏电流，从而改善器件整体性能。
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公开(公告)号：CN104122493A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410357412.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法，包括：求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率；求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系；根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系，求出特征失效几率随VG的变化关系；取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响，而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。
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公开(公告)号：CN104122491A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410356635.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件寿命终点时NBTI动态涨落的方法，包括：通过对半导体器件进行测试，获取半导体器件在寿命终点时的失效几率；通过对多个半导体器件进行测试，获取某工作电压VG对应的特征失效几率；求出不同VG下在寿命终点时阈值电压的退化量ΔVth的均值在不同器件之间的方差，以及ΔVth的方差在不同器件之间的方差，以及不同VG对应的特征失效几率；对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；这样，在半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落就可以表征出来。本发明提供了纳米尺度半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN104122491B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410356635.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件寿命终点时NBTI动态涨落的方法，包括：通过对半导体器件进行测试，获取半导体器件在寿命终点时的失效几率；通过对多个半导体器件进行测试，获取某工作电压VG对应的特征失效几率；求出不同VG下在寿命终点时阈值电压的退化量ΔVth的均值在不同器件之间的方差，以及ΔVth的方差在不同器件之间的方差，以及不同VG对应的特征失效几率；对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；这样，在半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落就可以表征出来。本发明提供了纳米尺度半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN103884977B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410080903.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法，仅用一个半导体器件即可预测出其最好寿命、最坏寿命和平均寿命。测试时间大大缩短，可以实现快速测量；另外，由于仅用一个半导体器件，避免了传统方法中DDV的影响，同时可以研究寿命在半导体器件之间的涨落；另外，本发明提出了最好寿命、最坏寿命和平均寿命，也即考虑了CCV的影响；最后，静态涨落的影响也可以考虑进来，进而可以全面的评价半导体器件性能的涨落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104122492A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410357332.5
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种预测半导体器件寿命的工作电压的方法：在半导体器件栅端施加应力电压以K倍增加，在应力施加过程中，栅电压在VGstress_2和VGmeasure之间循环跳转，漏电压在0和VDmeasure之间循环跳转，当栅电压为VGmeasure，漏电压为VDmeasure时监测漏电流ID；将多次应力下得到的ΔVth等效转换到VGstress_1下的阈值电压退化；计算出任意工作电压VG下的等效应力时间；对VG进行遍历，得到失效几率随VG的变化关系；对应特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率，确定VDD的值。本发明仅用一个半导体器件并且可以快速有效地提取目标要求的失效几率下的10年寿命对应的VDD，提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的预测方法。
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公开(公告)号：CN103884977A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410080903.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种预测半导体器件NBTI寿命及其涨落的方法，仅用一个半导体器件即可预测出其最好寿命、最坏寿命和平均寿命。测试时间大大缩短，可以实现快速测量；另外，由于仅用一个半导体器件，避免了传统方法中DDV的影响，同时可以研究寿命在半导体器件之间的涨落；另外，本发明提出了最好寿命、最坏寿命和平均寿命，也即考虑了CCV的影响；最后，静态涨落的影响也可以考虑进来，进而可以全面的评价半导体器件性能的涨落。
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公开(公告)号：CN116312713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310331883.3
申请日：2023-03-30
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于DRAM外围晶体管的短期偏压温度不稳定性分析方法，属于DRAM外围器件可靠性问题分析领域。本发明对待分析晶体管进行实验，区分出不同的陷阱类型，利用仿真计算得到任意电压、温度、时间下的不同陷阱的老化量。本发明解决了传统缺陷分析技术的短板，可以测量并分离最短在ns量级捕获或者释放载流子的陷阱，对于开发工作在GHz的DRAM的可靠性模型以及可靠性模拟电路具有重大意义；此外本发明的测试方案操作性强、容易实施，并且基于底层缺陷参数和相应物理理论完成最终BTI退化量预测，结果更加准确、可靠。
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公开(公告)号：CN115495909A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211162708.8
申请日：2022-09-23
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 上海交通大学 , 北京大学
IPC: G06F30/20 , G06Q10/04 , G06F17/10 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下(Vg/Vd不同组合)器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。
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公开(公告)号：CN104122493B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410357412.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法，包括：求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率；求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系；根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系，求出特征失效几率随VG的变化关系；取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响，而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。
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